단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BAS16

BAS16

DIODE GEN PURP 75V 215MA SC59-3

Fairchild Semiconductor

9,323
RFQ
BAS16데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 75 V 215mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 100 nA @ 80 V 1.2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SC-59-3 150°C (Max)
RURD4120S9A-SB82080

RURD4120S9A-SB82080

RECTIFIER, AVALANCHE, 4A, 1200V

Fairchild Semiconductor

9,164
RFQ
RURD4120S9A-SB82080데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
ES1D

ES1D

DIODE GP 200V 1A DO214AC SMA

Fairchild Semiconductor

7,843
RFQ
ES1D데이터시트 - DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 200 V 1A 920 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 5 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
EGP30B

EGP30B

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Fairchild Semiconductor

8,751
RFQ
EGP30B데이터시트 - DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 95pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
S1G

S1G

DIODE GP 400V 1A DO214AC SMA

Fairchild Semiconductor

9,676
RFQ
S1G데이터시트 - DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 5 µA @ 400 V - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -50°C ~ 150°C
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