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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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EGP20K

EGP20K

DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

Fairchild Semiconductor

4,996
RFQ
EGP20K데이터시트 - DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 800 V 2A 1.7 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 5 µA @ 800 V 45pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-15 -65°C ~ 150°C
SB380

SB380

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 3A, 8

Fairchild Semiconductor

3,440
RFQ
SB380데이터시트 - DO-201AD, Axial Bulk Active Schottky 80 V 3A 850 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 80 V 180pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 125°C
EGF1B

EGF1B

RECTIFIER DIODE, 1A, 100V, DO-21

Fairchild Semiconductor

2,397
RFQ
EGF1B데이터시트 - DO-214AC, SMA Bulk Active Standard 100 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -65°C ~ 175°C
SB3100

SB3100

DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201

Fairchild Semiconductor

26,553
RFQ
SB3100데이터시트 - DO-201AA, DO-27, Axial Bulk Active Schottky 100 V 3A 780 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 600 µA @ 100 V - - - Through Hole DO-201 -50°C ~ 150°C
EGP30C

EGP30C

DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD

Fairchild Semiconductor

5,000
RFQ
EGP30C데이터시트 - DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 150 V 3A 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 150 V 95pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
ES1DAF

ES1DAF

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
ES1DAF데이터시트 - DO-214AD, SMAF Bulk Active Standard 200 V 1A 950 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 34 ns 1 µA @ 200 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214AD (SMAF) -55°C ~ 150°C
EGP20G

EGP20G

DIODE GEN PURP 400V 2A DO15

Fairchild Semiconductor

3,070
RFQ
EGP20G데이터시트 - DO-204AC, DO-15, Axial Bulk Active Standard 400 V 2A 1.25 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 400 V 45pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-15 -65°C ~ 150°C
EGP30F

EGP30F

DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

Fairchild Semiconductor

2,500
RFQ
EGP30F데이터시트 - DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 300 V 3A 1.25 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 300 V 75pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
EGP30A

EGP30A

DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD

Fairchild Semiconductor

2,500
RFQ
EGP30A데이터시트 - DO-201AD, Axial Bulk Active Standard 50 V 3A 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 50 V 95pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 150°C
S210

S210

RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 2A, 1

Fairchild Semiconductor

549,367
RFQ
S210데이터시트 - DO-214AA, SMB Bulk Active Schottky 100 V 2A 850 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 400 µA @ 100 V - - - Surface Mount DO-214AA (SMB) -65°C ~ 125°C
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