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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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1N4454

1N4454

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
1N4454데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
BAV21-T50R

BAV21-T50R

DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

30,000
RFQ
BAV21-T50R데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 250 V 200mA 1.25 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 200 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
1N4447TR

1N4447TR

DIODE GEN PURP 100V DO35

Fairchild Semiconductor

28,980
RFQ
1N4447TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Obsolete Standard 100 V - - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
FDLL4448_D87Z

FDLL4448_D87Z

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80

Fairchild Semiconductor

20,000
RFQ
FDLL4448_D87Z데이터시트 - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-80 -65°C ~ 175°C
1N457TR

1N457TR

HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO

Fairchild Semiconductor

20,000
RFQ
1N457TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 70 V 200mA 1 V @ 20 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 60 V 8pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
MMBD6050

MMBD6050

DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3

Fairchild Semiconductor

18,000
RFQ
MMBD6050데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 70 V 200mA 1.1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 -55°C ~ 150°C
FDH444

FDH444

DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Fairchild Semiconductor

16,000
RFQ
FDH444데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 125 V 200mA 1.2 V @ 300 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 60 ns 50 nA @ 100 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 175°C (Max)
1N459ATR

1N459ATR

HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO

Fairchild Semiconductor

15,258
RFQ
1N459ATR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 200 V 500mA 1 V @ 100 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 25 nA @ 175 V 6pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) 175°C (Max)
MMBD1401A

MMBD1401A

DIODE GP 175V 200MA SOT23-3

Fairchild Semiconductor

15,003
RFQ
MMBD1401A데이터시트 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 175 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 50 ns 100 nA @ 175 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOT-23-3 150°C (Max)
1N914BWS

1N914BWS

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Fairchild Semiconductor

12,000
RFQ
1N914BWS데이터시트 - SC-90, SOD-323F Bulk Active Standard 75 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount SOD-323F 150°C (Max)
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