단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
SK8DJ

SK8DJ

DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK

WeEn Semiconductors

7,200
RFQ
SK8DJ데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 8A 1.1 V @ 8 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 800 V - - - Surface Mount DPAK 150°C (Max)
BYC405X-400PQ

BYC405X-400PQ

DIODE GEN PURP 400V 10A TO220F

WeEn Semiconductors

5,706
RFQ
BYC405X-400PQ데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 10A 1.5 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-220F 150°C
BYV29X-500,127

BYV29X-500,127

DIODE GEN PURP 500V 9A TO220FP

WeEn Semiconductors

9,522
RFQ
BYV29X-500,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 500 V 9A 1.25 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 500 V - - - Through Hole TO-220FP 150°C (Max)
BYV29-600,127

BYV29-600,127

DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AC

WeEn Semiconductors

2,300
RFQ
BYV29-600,127데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 9A 1.25 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYC5-1200PQ

BYC5-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A TO220AC

WeEn Semiconductors

4,934
RFQ
BYC5-1200PQ데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 1200 V 5A 3.2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 36 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
BYV25G-600,127

BYV25G-600,127

DIODE GEN PURP 600V 5A I2PAK

WeEn Semiconductors

9,783
RFQ
BYV25G-600,127데이터시트 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active Standard 600 V 5A 1.3 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-262 (I2PAK) 150°C (Max)
BYV29G-600,127

BYV29G-600,127

DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

WeEn Semiconductors

8,282
RFQ
BYV29G-600,127데이터시트 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active Standard 600 V 9A 1.25 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-262 (I2PAK) 150°C (Max)
BYV25FB-600,118

BYV25FB-600,118

DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK

WeEn Semiconductors

8,885
RFQ
BYV25FB-600,118데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 5A 1.9 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Surface Mount D2PAK 150°C (Max)
BYC10-600PQ

BYC10-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

WeEn Semiconductors

9,577
RFQ
BYC10-600PQ데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 10A 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 19 ns - - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYC8-1200PQ

BYC8-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

WeEn Semiconductors

3,231
RFQ
BYC8-1200PQ데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active Standard 1200 V 8A 3.2 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
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