단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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STTH8ST06DI

STTH8ST06DI

DIODE GP 600V 8A TO220AC INS

STMicroelectronics

710
RFQ
STTH8ST06DI데이터시트 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active Standard 600 V 8A 3.4 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 17 ns 6 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06D

STTH30RQ06D

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

STMicroelectronics

419
RFQ
STTH30RQ06D데이터시트 ECOPACK® TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 175°C (Max)
STPS20SM100ST

STPS20SM100ST

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220

STMicroelectronics

887
RFQ
STPS20SM100ST데이터시트 - TO-220-3 Tube Active Schottky 100 V 20A 900 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 30 µA @ 100 V - - - Through Hole TO-220 150°C (Max)
STPSC6H065D

STPSC6H065D

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

STMicroelectronics

958
RFQ
STPSC6H065D데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 300pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH12T06DI

STTH12T06DI

DIODE GP 600V 12A TO220AC INS

STMicroelectronics

548
RFQ
STTH12T06DI데이터시트 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active Standard 600 V 12A 2.95 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06DY

STTH30RQ06DY

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

STMicroelectronics

998
RFQ
STTH30RQ06DY데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC8H065D

STPSC8H065D

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

STMicroelectronics

794
RFQ
STPSC8H065D데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH30M06SPF

STTH30M06SPF

DIODE GEN PURP 600V 30A TO3PF

STMicroelectronics

876
RFQ
STTH30M06SPF데이터시트 - TO-3P-3 Full Pack Tube Active Standard 600 V 30A 3.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 60 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-3PF 175°C (Max)
STTH30R04DY

STTH30R04DY

DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC

STMicroelectronics

772
RFQ
STTH30R04DY데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STPSC8H065BY-TR

STPSC8H065BY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

4,209
RFQ
STPSC8H065BY-TR데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
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