단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
STPSC10065G2-TR

STPSC10065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,206
RFQ
STPSC10065G2-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC10H065G2-TR

STPSC10H065G2-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

1,278
RFQ
STPSC10H065G2-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 480pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STTH60RQ06W

STTH60RQ06W

DIODE GEN PURP 600V 60A DO247

STMicroelectronics

313
RFQ
STTH60RQ06W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 60A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 80 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STTH3006PI

STTH3006PI

DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I

STMicroelectronics

444
RFQ
STTH3006PI데이터시트 - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole DOP3I 175°C (Max)
STPSC15H12D

STPSC15H12D

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

STMicroelectronics

2,768
RFQ
STPSC15H12D데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STBR6012W

STBR6012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

516
RFQ
STBR6012W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STTH6012WL

STTH6012WL

DIODE GP 1.2KV 60A DO247 LL

STMicroelectronics

946
RFQ
STTH6012WL데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 60A 2.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 30 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C
STBR6012WY

STBR6012WY

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A DO247

STMicroelectronics

112
RFQ
STBR6012WY데이터시트 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 60A 1.3 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STBR6008WY

STBR6008WY

DIODE GEN PURP 800V 60A DO247

STMicroelectronics

510
RFQ
STBR6008WY데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 800 V 60A 1.1 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 800 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STPSC10H12WL

STPSC10H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A DO247

STMicroelectronics

244
RFQ
STPSC10H12WL데이터시트 ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.5 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 725pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
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