단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
STTH3006W

STTH3006W

DIODE GEN PURP 600V 30A DO247

STMicroelectronics

1,882
RFQ
STTH3006W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPS20M100ST

STPS20M100ST

DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220

STMicroelectronics

679
RFQ
STPS20M100ST데이터시트 - TO-220-3 Tube Active Schottky 100 V 20A 850 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 100 V - - - Through Hole TO-220 150°C (Max)
STBR3008G2Y-TR

STBR3008G2Y-TR

DIODE GEN PURP 800V 30A D2PAK HV

STMicroelectronics

422
RFQ
STBR3008G2Y-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 30A 1.1 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 800 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
STBR3012W

STBR3012W

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

STMicroelectronics

1,666
RFQ
STBR3012W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 30A 1.3 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STPSC6H065DLF

STPSC6H065DLF

DIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLAT

STMicroelectronics

10,686
RFQ
STPSC6H065DLF데이터시트 ECOPACK®2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.55 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 350pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV -40°C ~ 175°C
STTH1512W

STTH1512W

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A DO247

STMicroelectronics

380
RFQ
STTH1512W데이터시트 - DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1200 V 15A 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 15 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 175°C (Max)
STTH30R06PI

STTH30R06PI

DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I

STMicroelectronics

2,646
RFQ
STTH30R06PI데이터시트 - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Active Standard 600 V 30A 1.85 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole DOP3I 175°C (Max)
STTH3012WL

STTH3012WL

DIODE GP 1.2KV 30A DO247 LL

STMicroelectronics

569
RFQ
STTH3012WL데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.25 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole DO-247 LL 175°C
STPSC8H065B-TR

STPSC8H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

13,754
RFQ
STPSC8H065B-TR데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
STPSC6H065DI

STPSC6H065DI

DIODE SIC 650V 6A TO220AC INS

STMicroelectronics

800
RFQ
STPSC6H065DI데이터시트 - TO-220-2 Insulated, TO-220AC Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.75 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 60 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220AC ins -40°C ~ 175°C
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