단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
RFN20NS4STL

RFN20NS4STL

DIODE GEN PURP 430V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

883
RFQ
RFN20NS4STL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 430 V 20A 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 430 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
RF505TF6SC9

RF505TF6SC9

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM

Rohm Semiconductor

430
RFQ
RF505TF6SC9데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 5A 1.7 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220NFM 150°C
SCS302AJTLL

SCS302AJTLL

DIODE SIL CARB 650V 2.15A LPTL

Rohm Semiconductor

499
RFQ
SCS302AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2.15A 1.5 V @ 2.15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10.8 µA @ 650 V 110pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
RFN20TJ6SFHGC9

RFN20TJ6SFHGC9

DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

978
RFQ
RFN20TJ6SFHGC9데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 1.55 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 140 ns 10 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220ACFP 150°C
RFN20NS3STL

RFN20NS3STL

DIODE GEN PURP 350V 20A LPDS

Rohm Semiconductor

784
RFQ
RFN20NS3STL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 350 V 20A 1.35 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 350 V - - - Surface Mount LPDS 150°C
RFS30TZ6SGC13

RFS30TZ6SGC13

DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE

Rohm Semiconductor

584
RFQ
RFS30TZ6SGC13데이터시트 - TO-247-2 Tube Not For New Designs Standard 650 V 30A 2.3 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 5 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-247GE 175°C
RFUH20TF6SC9

RFUH20TF6SC9

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

Rohm Semiconductor

932
RFQ
RFUH20TF6SC9데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 20A 2.8 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220NFM 150°C
SCS304AJTLL

SCS304AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL

Rohm Semiconductor

974
RFQ
SCS304AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 200pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
RFV30TG6SGC9

RFV30TG6SGC9

DIODE GP 600V 30A TO220ACFP

Rohm Semiconductor

822
RFQ
RFV30TG6SGC9데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.8 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP 150°C
SCS308AJTLL

SCS308AJTLL

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A LPTL

Rohm Semiconductor

915
RFQ
SCS308AJTLL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 400pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount LPTL 175°C (Max)
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