단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
UJ3D1220KSD

UJ3D1220KSD

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3

Qorvo

1,188
RFQ
UJ3D1220KSD데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 220 µA @ 1200 V 1020pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D06504TS

UJ3D06504TS

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2

Qorvo

22,764
RFQ
UJ3D06504TS데이터시트 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V 118pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06508TS

UJ3D06508TS

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

Qorvo

28,148
RFQ
UJ3D06508TS데이터시트 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06512TS

UJ3D06512TS

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

Qorvo

10,601
RFQ
UJ3D06512TS데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 392pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06516TS

UJ3D06516TS

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

Qorvo

938
RFQ
UJ3D06516TS데이터시트 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210K2

UJ3D1210K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

Qorvo

7,101
RFQ
UJ3D1210K2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 510pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06530TS

UJ3D06530TS

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

Qorvo

7,715
RFQ
UJ3D06530TS데이터시트 Gen-III TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 370 µA @ 650 V 990pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D1220K2

UJ3D1220K2

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2

Qorvo

327
RFQ
UJ3D1220K2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 1200 V 810pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
UJ3D06520KSD

UJ3D06520KSD

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

Qorvo

9,218
RFQ
UJ3D06520KSD데이터시트 Gen-III TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 654pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
UJ3D1210KSD

UJ3D1210KSD

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3

Qorvo

528
RFQ
UJ3D1210KSD데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.6 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 110 µA @ 1200 V 500pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-3 -55°C ~ 175°C
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