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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
BYC5D-500,127

BYC5D-500,127

DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

NXP USA Inc.

15,000
RFQ
BYC5D-500,127데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active Standard 500 V 5A 2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 16 ns 40 µA @ 500 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYC8DX-600,127

BYC8DX-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

NXP USA Inc.

4,689
RFQ
BYC8DX-600,127데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Bulk Active Standard 600 V 8A 2.9 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 40 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220F 150°C (Max)
BYC10D-600,127

BYC10D-600,127

DIODE GEN PURP 500V 10A TO220AC

NXP USA Inc.

2,763
RFQ
BYC10D-600,127데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active Standard 500 V 10A 2.5 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 200 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYR29-600,127

BYR29-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

NXP USA Inc.

3,494
RFQ
BYR29-600,127데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active Standard 600 V 8A 1.5 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC 150°C (Max)
BYC5B-600,118

BYC5B-600,118

DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK

NXP USA Inc.

1,600
RFQ
BYC5B-600,118데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active Standard 500 V 5A 2.9 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount D2PAK 150°C (Max)
BYC58X-600,127

BYC58X-600,127

DIODE 600V 8A TO-220F SOD113

NXP USA Inc.

640
RFQ
BYC58X-600,127데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N4448,113

1N4448,113

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

4,102
RFQ
1N4448,113데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 200°C (Max)
1N4448,143

1N4448,143

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

5,508
RFQ
1N4448,143데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Cut Tape (CT) Obsolete Standard 100 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 200°C (Max)
BYD77D,115

BYD77D,115

DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF

NXP USA Inc.

7,120
RFQ
BYD77D,115데이터시트 - SOD-87 Tape & Reel (TR) Obsolete Avalanche 200 V 850mA 980 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 200 V 50pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount MELF -65°C ~ 175°C
PRLL5817,135

PRLL5817,135

DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF

NXP USA Inc.

4,326
RFQ
PRLL5817,135데이터시트 - SOD-87 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 20 V 1A 450 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V 70pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount MELF 125°C (Max)
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