단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N4148,113

1N4148,113

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

NXP USA Inc.

4,984
RFQ
1N4148,113데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key Standard 100 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 25 nA @ 20 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ALF2 200°C (Max)
1PS74SB23,115

1PS74SB23,115

DIODE SCHOTTKY 25V 1A 6TSOP

NXP USA Inc.

6,000
RFQ
1PS74SB23,115데이터시트 - SC-74, SOT-457 Bulk Active Schottky 25 V 1A 450 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 25 V 100pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount 6-TSOP 125°C (Max)
NUR460/L02,112

NUR460/L02,112

DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD

NXP USA Inc.

5,371
RFQ
NUR460/L02,112데이터시트 - DO-201AD, Axial Tube Obsolete Standard 600 V 4A 1.28 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-201AD 150°C (Max)
PMEG045V050EPDAZ

PMEG045V050EPDAZ

DIODE SCHOTTKY 45V 5A CFP15

NXP Semiconductors

880,940
RFQ
PMEG045V050EPDAZ데이터시트 - TO-277, 3-PowerDFN Bulk Active Schottky 45 V 5A 490 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 12 ns 300 µA @ 45 V 580pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount CFP15 175°C (Max)
PMEG045T150EPDAZ

PMEG045T150EPDAZ

DIODE SCHOTTKY 45V 15A CFP15

NXP Semiconductors

91,789
RFQ
PMEG045T150EPDAZ데이터시트 - TO-277, 3-PowerDFN Bulk Active Schottky 45 V 15A 550 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 100 µA @ 45 V 800pF @ 10V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount CFP15 175°C (Max)
BYW29E-100,127

BYW29E-100,127

DIODE FAST REC 100V 8A TO220AC

NXP USA Inc.

3,200
RFQ
BYW29E-100,127데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BYC8-600,127

BYC8-600,127

DIODE RECT 600V 8A SOT78

NXP USA Inc.

9,401
RFQ
BYC8-600,127데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
RHRG5060

RHRG5060

RECTIFIER DIODE, AVALANCHE, 1 PH

NXP USA Inc.

309
RFQ
RHRG5060데이터시트 - TO-247-2 Bulk Active Avalanche 600 V 50A 2.1 V @ 50 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 250 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
BAS32L,115

BAS32L,115

DIODE GEN PURP 75V 200MA LLDS

NXP Semiconductors

2,814,167
RFQ
BAS32L,115데이터시트 - DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active Standard 75 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 5 µA @ 75 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount LLDS; MiniMelf 200°C (Max)
BAS16,235

BAS16,235

DIODE GP 100V 215MA TO236AB

NXP Semiconductors

1,941,951
RFQ
BAS16,235데이터시트 BAS16 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active Standard 100 V 215mA 1.25 V @ 150 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 500 nA @ 80 V 1.5pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-236AB 150°C (Max)
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