단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
MSC010SDA170B

MSC010SDA170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 31A TO247-3

Microchip Technology

47
RFQ
MSC010SDA170B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 31A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1700 V 820pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
1N5802US

1N5802US

DIODE GEN PURP 50V 1A D-5A

Microchip Technology

50
RFQ
1N5802US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 50 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 50 V 25pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
MSC050SDA070S

MSC050SDA070S

DIODE SIL CARBIDE 700V 88A D3PAK

Microchip Technology

16
RFQ
MSC050SDA070S데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 88A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 700 V 2034pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount D3PAK -55°C ~ 175°C
JANTX1N5420US

JANTX1N5420US

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

Microchip Technology

49
RFQ
JANTX1N5420US데이터시트 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
MSC050SDA120B

MSC050SDA120B

DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-2

Microchip Technology

73
RFQ
MSC050SDA120B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 109A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 246pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
MSC050SDA120S

MSC050SDA120S

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A D3PAK

Microchip Technology

85
RFQ
MSC050SDA120S데이터시트 - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Surface Mount D3PAK -
UES1106

UES1106

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

100
RFQ
UES1106데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 10 µA @ 400 V - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
1N5711UB/TR

1N5711UB/TR

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

Microchip Technology

74
RFQ
1N5711UB/TR데이터시트 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Schottky 50 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount UB -65°C ~ 150°C
UES1303

UES1303

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Microchip Technology

100
RFQ
UES1303데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 150 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V - - - Through Hole B, Axial 175°C (Max)
APT15DQ100KG

APT15DQ100KG

DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Microchip Technology

593
RFQ
APT15DQ100KG데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 1000 V 15A 3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 235 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220 [K] -55°C ~ 175°C
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