IGBT 모듈

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지

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CPV363M4K

CPV363M4K

IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,697
RFQ
CPV363M4K데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 11 A 36 W 2V @ 15V, 11A 250 µA 740 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
CPV363M4U

CPV363M4U

IGBT MODULE 600V 13A 36W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,481
RFQ
CPV363M4U데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 13 A 36 W 2V @ 15V, 13A 250 µA 1.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
VS-CPV364M4KPBF

VS-CPV364M4KPBF

IGBT MODULE 600V 24A 63W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,313
RFQ
VS-CPV364M4KPBF데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - Three Phase Inverter 600 V 24 A 63 W 1.8V @ 15V, 24A 250 µA 1.6 nF @ 30 V Standard No -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
CPV364M4U

CPV364M4U

IGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,124
RFQ
CPV364M4U데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 20 A 63 W 1.84V @ 15V, 20A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
50MT060WH

50MT060WH

IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,681
RFQ
50MT060WH데이터시트 - 12-MTP Module - Obsolete PT Half Bridge 600 V 114 A 658 W 3.2V @ 15V, 100A 400 µA 7.1 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 12-MTP
50MT060ULS

50MT060ULS

IGBT MODULE 600V 100A 445W 10MTP

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,034
RFQ
50MT060ULS데이터시트 - 10-MTP - Obsolete - Single 600 V 100 A 445 W 2.55V @ 15V, 100A 250 µA 14.7 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount 10-MTP
VS-GA250SA60S

VS-GA250SA60S

IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,557
RFQ
VS-GA250SA60S데이터시트 - SOT-227-4 Tube Obsolete - Single 600 V 400 A 961 W 1.66V @ 15V, 200A 1 mA 16.25 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GB90SA120U

VS-GB90SA120U

IGBT MOD 1200V 149A 862W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,310
RFQ
VS-GB90SA120U데이터시트 - SOT-227-4 Tube Obsolete NPT Single 1200 V 149 A 862 W 3.9V @ 15V, 75A 250 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-GB90DA60U

VS-GB90DA60U

IGBT MOD 600V 147A 625W SOT227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,881
RFQ
VS-GB90DA60U데이터시트 - SOT-227-4 Tube Obsolete NPT Single 600 V 147 A 625 W 2.8V @ 15V, 100A 100 µA - Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SOT-227
VS-CPV362M4KPBF

VS-CPV362M4KPBF

IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,472
RFQ
VS-CPV362M4KPBF데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Obsolete - - - - - - - - - No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
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