IGBT 모듈

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지
VS-GT400LH060N

VS-GT400LH060N

MODULES IGBT - DIAP IGBT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,907
RFQ
VS-GT400LH060N데이터시트 FRED Pt® Module Bulk Active Trench Field Stop Single Chopper 600 V 492 A 1363 W 2V @ 15V, 400A 20 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-ETY020P120F

VS-ETY020P120F

IGBT MOD OUTPUT & SW EMIPAK 2B

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,490
RFQ
VS-ETY020P120F데이터시트 - - Tray Active - - - - - - - - - - - - -
GA400TD25S

GA400TD25S

IGBT MOD 250V 400A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,308
RFQ
GA400TD25S데이터시트 - Dual INT-A-PAK (3 + 8) Tube Obsolete - Half Bridge 250 V 400 A 1350 W 1.6V @ 15V, 400A 500 µA 36 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Dual INT-A-PAK
VS-GT300YH120N

VS-GT300YH120N

IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,695
RFQ
VS-GT300YH120N데이터시트 - Double INT-A-PAK (3 + 8) Bulk Active Trench Half Bridge 1200 V 341 A 1042 W 2.17V @ 15V, 300A (Typ) 300 µA 36 nF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Double INT-A-PAK
VS-GT300TD60S

VS-GT300TD60S

IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,554
RFQ
VS-GT300TD60S데이터시트 FRED Pt® Module Tube Active Trench Field Stop Half Bridge 600 V 466 A 882 W 1.47V @ 15V, 300A 200 µA 24.2 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GT400TD60S

VS-GT400TD60S

IGBT MOD 600V 758A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,091
RFQ
VS-GT400TD60S데이터시트 FRED Pt® Module Tube Active Trench Field Stop Half Bridge 600 V 711 A 1364 W 1.4V @ 15V, 400A 300 µA - Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount INT-A-PAK
VS-GT300FD060N

VS-GT300FD060N

IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,382
RFQ
VS-GT300FD060N데이터시트 - Dual INT-A-PAK (4 + 8) Bulk Obsolete Trench Field Stop Three Level Inverter 600 V 379 A 1250 W 2.5V @ 15V, 300A 250 µA 23.3 nF @ 30 V Standard No 175°C (TJ) Chassis Mount Dual INT-A-PAK
CPV362M4F

CPV362M4F

IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,358
RFQ
CPV362M4F데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 8.8 A 23 W 1.66V @ 15V, 8.8A 250 µA 340 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
CPV362M4K

CPV362M4K

IGBT MODULE 600V 5.7A 23W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,548
RFQ
CPV362M4K데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 5.7 A 23 W 1.93V @ 15V, 3A 250 µA 450 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
CPV362M4U

CPV362M4U

IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,668
RFQ
CPV362M4U데이터시트 - 19-SIP (13 Leads), IMS-2 Bulk Active - Three Phase Inverter 600 V 7.2 A 23 W 1.95V @ 15V, 7.2A 250 µA 530 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole IMS-2
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