단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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VFT3080S-E3/4W

VFT3080S-E3/4W

DIODE SCHOTTKY 80V 30A TO220-3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,938
RFQ
VFT3080S-E3/4W데이터시트 - TO-220-3 Tube Active Schottky 80 V 30A 950 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 80 V - - - Through Hole TO-220-3 -55°C ~ 150°C
MURB15120L-TP

MURB15120L-TP

SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER

Micro Commercial Co

1,510
RFQ
MURB15120L-TP데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 1200 V 15A 3.2 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 5 µA @ 1200 V 55pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 150°C
SFF2004G

SFF2004G

DIODE GEN PURP 200V 20A ITO220AB

Taiwan Semiconductor Corporation

964
RFQ
SFF2004G데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 200 V 20A 975 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 90pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AB -55°C ~ 150°C
SBR10U200P5-13D

SBR10U200P5-13D

Super Barrier Rectifier PDI5 T&R

Diodes Incorporated

4,998
RFQ
SBR10U200P5-13D데이터시트 - PowerDI™ 5 Tape & Reel (TR) Active Super Barrier 200 V 10A 880 mV @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 200 V - - - Surface Mount PowerDI™ 5 -65°C ~ 175°C
SFF2006GH

SFF2006GH

DIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB

Taiwan Semiconductor Corporation

994
RFQ
SFF2006GH데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 20A 1.3 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 400 V 90pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AB -55°C ~ 150°C
SFF2006G

SFF2006G

DIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB

Taiwan Semiconductor Corporation

940
RFQ
SFF2006G데이터시트 - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 20A 1.3 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 400 V 90pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AB -55°C ~ 150°C
DSC06C065D1-13

DSC06C065D1-13

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

Diodes Incorporated

2,490
RFQ
DSC06C065D1-13데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 170 µA @ 650 V 184pF @ 100mV, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
DSC04A065D1-13

DSC04A065D1-13

SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

Diodes Incorporated

2,465
RFQ
DSC04A065D1-13데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.5 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 170 µA @ 650 V 184pF @ 100mV, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
SR1504

SR1504

DIODE SCHOTTKY 40V 15A R-6

Taiwan Semiconductor Corporation

1,465
RFQ
SR1504데이터시트 - R-6, Axial Tape & Reel (TR) Not For New Designs Schottky 40 V 15A 550 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V - - - Through Hole R-6 -50°C ~ 150°C
SFAF1604G

SFAF1604G

DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

998
RFQ
SFAF1604G데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 200 V 16A 975 mV @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 130pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
TRS2E65H,S1Q

TRS2E65H,S1Q

G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L

Toshiba Semiconductor and Storage

335
RFQ
TRS2E65H,S1Q데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2A 1.35 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 135pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L 175°C
RFN6RSM2STFTL1

RFN6RSM2STFTL1

200V 6A 14NS, TO-277A, ULTRA FAS

Rohm Semiconductor

4,000
RFQ
RFN6RSM2STFTL1데이터시트 - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 6A 930 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-277A 175°C
BYW76RAS15-10

BYW76RAS15-10

DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,000
RFQ
BYW76RAS15-10데이터시트 - - Bulk Active Avalanche 600 V 3A 1.1 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 5 µA @ 600 V - - - - - -55°C ~ 175°C
YQ10RSM10SDTL1

YQ10RSM10SDTL1

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,

Rohm Semiconductor

3,945
RFQ
YQ10RSM10SDTL1데이터시트 - TO-277, 3-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active Schottky 100 V 10A 670 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 80 µA @ 100 V - - - Surface Mount TO-277A 150°C
SFAF1608GH

SFAF1608GH

DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

1,000
RFQ
SFAF1608GH데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 16A 1.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 100pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
SFAF1608G

SFAF1608G

DIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC

Taiwan Semiconductor Corporation

991
RFQ
SFAF1608G데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active Standard 600 V 16A 1.7 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V 100pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 150°C
RB078BM30SFHHTL

RB078BM30SFHHTL

30V 5A, TO-252, ULTRA LOW IR SBD

Rohm Semiconductor

2,500
RFQ
RB078BM30SFHHTL데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active Schottky 30 V 5A 720 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 30 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 175°C
SFS1604G

SFS1604G

DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB

Taiwan Semiconductor Corporation

1,665
RFQ
SFS1604G데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 16A 975 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 80pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 150°C
SFS1604GH

SFS1604GH

DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB

Taiwan Semiconductor Corporation

1,586
RFQ
SFS1604GH데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 16A 975 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V 80pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 150°C
P2000MTL

P2000MTL

DIODE GEN PURP 1000V 20A P600

Diotec Semiconductor

961
RFQ
P2000MTL데이터시트 - P600, Axial Cut Tape (CT) Active Standard 1000 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1000 V - - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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