단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
US1M

US1M

Ultra Fast DIODE 1A 1000V SMA

Bruckewell

81,700
RFQ
US1M데이터시트 SMA DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1A 1.7 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns - - - - Surface Mount DO-214AC (SMA) -55°C ~ 150°C
CBR06P65HL

CBR06P65HL

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,6A,DFN 8

Bruckewell

10
RFQ
CBR06P65HL데이터시트 - 4-PowerTSFN Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 18A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V - - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 150°C
CBR08P65D

CBR08P65D

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,8A,TO-25

Bruckewell

13
RFQ
CBR08P65D데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
CBR10P65HL

CBR10P65HL

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,10A,DFN8

Bruckewell

15
RFQ
CBR10P65HL데이터시트 - 4-PowerTSFN Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V - - - Surface Mount 4-DFN (8x8) -55°C ~ 150°C
CBR10P65

CBR10P65

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,10A,TO-2

Bruckewell

7
RFQ
CBR10P65데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V - - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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