단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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1N649-1/TR

1N649-1/TR

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Microchip Technology

206
RFQ
1N649-1/TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 600 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
VS-E5TH2112S2L-M3

VS-E5TH2112S2L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,139
RFQ
VS-E5TH2112S2L-M3데이터시트 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 20A 2.66 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 125 ns 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
VS-E5PH3006L-N3

VS-E5PH3006L-N3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

320
RFQ
VS-E5PH3006L-N3데이터시트 FRED Pt® TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 30A 1.6 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 46 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
STPSC4H065B-TR

STPSC4H065B-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

STMicroelectronics

3,101
RFQ
STPSC4H065B-TR데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.75 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 200pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
STTH1512G-TR

STTH1512G-TR

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A D2PAK

STMicroelectronics

4,553
RFQ
STTH1512G-TR데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 15A 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 105 ns 15 µA @ 1200 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
VS-8EWF10S-M3

VS-8EWF10S-M3

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,649
RFQ
VS-8EWF10S-M3데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active Standard 1000 V 8A 1.3 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 270 ns 100 µA @ 1000 V - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK) -40°C ~ 150°C
IDH02G120C5XKSA1

IDH02G120C5XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-1

Infineon Technologies

1,781
RFQ
IDH02G120C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.65 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 18 µA @ 1200 V 182pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-1 175°C (Max)
VS-10ETF12SLHM3

VS-10ETF12SLHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,360
RFQ
VS-10ETF12SLHM3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
VS-20ETS16THM3

VS-20ETS16THM3

DIODE GEN PURP 1.6KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,241
RFQ
VS-20ETS16THM3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 1600 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
IDW30E65D1FKSA1

IDW30E65D1FKSA1

DIODE GP 650V 60A TO247-3-1

Infineon Technologies

259
RFQ
IDW30E65D1FKSA1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 650 V 60A 1.7 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 40 µA @ 650 V - - - Through Hole PG-TO247-3-1 -40°C ~ 175°C
C3D04060E-TR

C3D04060E-TR

DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

4,970
RFQ
C3D04060E-TR데이터시트 Z-Rec® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 13.5A 1.8 V @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 600 V 251pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-3C06ET07T-M3

VS-3C06ET07T-M3

650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,925
RFQ
VS-3C06ET07T-M3데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.5 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 650 V 255pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
STTH30R04G

STTH30R04G

DIODE GEN PURP 400V 30A D2PAK

STMicroelectronics

173
RFQ
STTH30R04G데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 400 V 30A 1.45 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 15 µA @ 400 V - - - Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
D8025LTP

D8025LTP

DIODE GP 800V 15.9A TO220AB-L

Littelfuse Inc.

2,392
RFQ
D8025LTP데이터시트 - TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 800 V 15.9A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 20 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AB-L -40°C ~ 125°C
UCQS20A045-TE24L2

UCQS20A045-TE24L2

DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO263LP

KYOCERA AVX

6,312
RFQ
UCQS20A045-TE24L2데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 20A 540 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 600 µA @ 45 V - - - Surface Mount TO-263LP -40°C ~ 150°C
VS-25ETS12SLHM3

VS-25ETS12SLHM3

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,287
RFQ
VS-25ETS12SLHM3데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 25A 1.14 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -40°C ~ 150°C
APT15D100BG

APT15D100BG

DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Microchip Technology

283
RFQ
APT15D100BG데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 15A 2.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 260 ns 250 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247 [B] -55°C ~ 175°C
D4015LTP

D4015LTP

DIODE GP 400V 9.5A TO220

Littelfuse Inc.

482
RFQ
D4015LTP데이터시트 - TO-220-3 Isolated Tab Tube Active Standard 400 V 9.5A 1.6 V @ 9.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 10 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-220 Isolated Tab -40°C ~ 125°C
STTH30RQ06G2Y-TR

STTH30RQ06G2Y-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK HV

STMicroelectronics

3,200
RFQ
STTH30RQ06G2Y-TR데이터시트 ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 30A 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
VS-E5TX1512S2L-M3

VS-E5TX1512S2L-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1,058
RFQ
VS-E5TX1512S2L-M3데이터시트 FRED Pt® G5 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 1200 V 15A 3.3 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 96 ns 50 µA @ 1200 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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