단일 다이오드
| 제조사 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
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전체 초기화
전체 적용
결과
| 사진 | 제조사 부품번호 | 재고 여부 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
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NC1D120C10ATNGSiC Schottky 1200V 10A TO220- 2L NovuSem |
500 | - |
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NC1D | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 10A | 1.6 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 35 µA @ 1200 V | 670pF @ 0.1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2L | -55°C ~ 175°C |
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NC1D120C20KTNGSiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L NovuSem |
500 | - |
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NC1D | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 20A | 1.6 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 1371pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2L | -55°C ~ 175°C |
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NC1D120C30KTNGSiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L NovuSem |
300 | - |
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NC1D | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 30A | 1.6 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 85 µA @ 1200 V | 2125pF @ 0.1V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2L | -55°C ~ 175°C |
