단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
NC1D120C10ATNG

NC1D120C10ATNG

SiC Schottky 1200V 10A TO220- 2L

NovuSem

500
RFQ
NC1D120C10ATNG데이터시트 NC1D TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 670pF @ 0.1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C20KTNG

NC1D120C20KTNG

SiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L

NovuSem

500
RFQ
NC1D120C20KTNG데이터시트 NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 1371pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C30KTNG

NC1D120C30KTNG

SiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L

NovuSem

300
RFQ
NC1D120C30KTNG데이터시트 NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 85 µA @ 1200 V 2125pF @ 0.1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
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