단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
NTE125

NTE125

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

NTE Electronics, Inc

19,705
RFQ
NTE125데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 1000 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 µA @ 600 V - - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 175°C
1N4002

1N4002

DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

NTE Electronics, Inc

1
RFQ
1N4002데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 100 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N4001

1N4001

DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

NTE Electronics, Inc

4,464
RFQ
1N4001데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 50 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N5401

1N5401

DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

NTE Electronics, Inc

8,309
RFQ
1N5401데이터시트 - DO-201AD, Axial Box Active Standard 100 V 3A 1.2 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 100 V 30pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -55°C ~ 150°C
1N4004

1N4004

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

NTE Electronics, Inc

2,152
RFQ
1N4004데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 400 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N4007

1N4007

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

NTE Electronics, Inc

7,833
RFQ
1N4007데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Box Active Standard 1000 V 1A 1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-41 -65°C ~ 125°C
1N4148

1N4148

DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

NTE Electronics, Inc

6,709
RFQ
1N4148데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Box Active Standard 75 V 150mA 1 V @ 10 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4 ns 5 µA @ 75 V 4pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 175°C
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