단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
40SQ045

40SQ045

40A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

2,768
RFQ
40SQ045데이터시트 - Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 40A 550 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 45 V - - - Through Hole Axial -55°C ~ 200°C
AS3D020065A

AS3D020065A

650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

137
RFQ
AS3D020065A데이터시트 - TO-220-2 Bulk Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 56A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 1190pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
ASZD020120C

ASZD020120C

1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

30
RFQ
ASZD020120C데이터시트 * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
AS4D040120P2

AS4D040120P2

1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

30
RFQ
AS4D040120P2데이터시트 * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
AS3D030065C

AS3D030065C

650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

30
RFQ
AS3D030065C데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 35A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 1805pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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