단일 다이오드
| 사진 | 제조사 부품번호 | 재고 여부 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
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40SQ04540A AXIAL LEADED SCHOTTKY DIODES ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
2,768 |
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- | Axial | Tape & Reel (TR) | Active | Schottky | 45 V | 40A | 550 mV @ 40 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 500 µA @ 45 V | - | - | - | Through Hole | Axial | -55°C ~ 200°C |
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AS3D020065A650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
137 |
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- | TO-220-2 | Bulk | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 56A | 1.65 V @ 20 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 1190pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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ASZD020120C1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
30 |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AS4D040120P21200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
30 |
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* | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AS3D030065C650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
30 |
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- | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 35A | 1.8 V @ 30 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 1805pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
