단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
DHG10I1200PM

DHG10I1200PM

DIODE GP 1.2KV 10A TO220ACFP

IXYS

190
RFQ
DHG10I1200PM데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 1200 V 10A 2.69 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 15 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220ACFP -55°C ~ 150°C
DSI30-08AS-TRL

DSI30-08AS-TRL

DIODE GEN PURP 800V 30A TO263AA

IXYS

2,782
RFQ
DSI30-08AS-TRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
DHG10I1800PA

DHG10I1800PA

DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC

IXYS

225
RFQ
DHG10I1800PA데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 1800 V 10A 2.23 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 50 µA @ 1800 V 3pF @ 900V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
DMA30E1800HA

DMA30E1800HA

DIODE GEN PURP 1.8KV 30A TO247

IXYS

300
RFQ
DMA30E1800HA데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1800 V 30A 1.25 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 1800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DSI45-12A

DSI45-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 45A TO247AD

IXYS

635
RFQ
DSI45-12A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 45A 1.28 V @ 45 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 1200 V 18pF @ 400V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 175°C
DNA30EM2200PZ-TUB

DNA30EM2200PZ-TUB

DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263HV

IXYS

441
RFQ
DNA30EM2200PZ-TUB데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 2200 V 30A 1.26 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 2200 V 7pF @ 700V, 1MHz - - Surface Mount TO-263HV -55°C ~ 175°C
DSA1-18D

DSA1-18D

DIODE AVALANCHE 1.8KV 2.3A

IXYS

262
RFQ
DSA1-18D데이터시트 - Radial Bulk Active Avalanche 1800 V 2.3A 1.34 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 1800 V - - - Through Hole - -40°C ~ 150°C
DSEI30-12A

DSEI30-12A

DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD

IXYS

205
RFQ
DSEI30-12A데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 26A 2.55 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 750 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AD -40°C ~ 150°C
DHG30I1200HA

DHG30I1200HA

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

IXYS

300
RFQ
DHG30I1200HA데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 2.26 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
DPG60I400HA

DPG60I400HA

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

IXYS

284
RFQ
DPG60I400HA데이터시트 HiPerFRED™ TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.47 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 1 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
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