단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
UGE0421AY4

UGE0421AY4

DIODE GEN PURP 3.2KV 22.9A UGE

IXYS

4,016
RFQ
UGE0421AY4데이터시트 - UGE Box Active Standard 3200 V 22.9A 2.72 V @ 55 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 3200 V - - - Chassis Mount UGE -
DFE10I600PM

DFE10I600PM

DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

IXYS

8,750
RFQ
DFE10I600PM데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 10A 1.5 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP -55°C ~ 150°C
DSI30-08AS-TUB

DSI30-08AS-TUB

DIODE GEN PURP 800V 30A TO263AA

IXYS

8,367
RFQ
DSI30-08AS-TUB데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active Standard 800 V 30A 1.29 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 µA @ 800 V 10pF @ 400V, 1MHz - - Surface Mount TO-263AA -40°C ~ 175°C
DPG30I400HA

DPG30I400HA

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247

IXYS

9,690
RFQ
DPG30I400HA데이터시트 HiPerFRED²™ TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 1 µA @ 400 V 32pF @ 200V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DHG20I600HA

DHG20I600HA

DIODE GEN PURP 600V 20A TO247

IXYS

2,177
RFQ
DHG20I600HA데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 20A 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 25 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
DSA1-12D

DSA1-12D

DIODE AVALANCHE 1.2KV 2.3A

IXYS

9,568
RFQ
DSA1-12D데이터시트 - Radial Box Active Avalanche 1200 V 2.3A 1.34 V @ 7 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 700 µA @ 1200 V - - - Through Hole - -40°C ~ 150°C
DHG30I600PA

DHG30I600PA

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

IXYS

5,302
RFQ
DHG30I600PA데이터시트 - TO-220-2 Tube Active Standard 600 V 30A 2.37 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 50 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 150°C
DSEP30-12B

DSEP30-12B

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

IXYS

8,000
RFQ
DSEP30-12B데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 30A 3.75 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V 12pF @ 600V, 1MHz - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 175°C
DHG5I600PM

DHG5I600PM

DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

IXYS

7,018
RFQ
DHG5I600PM데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active Standard 600 V 5A 2.2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220ACFP -55°C ~ 150°C
DHG20I1200HA

DHG20I1200HA

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO247

IXYS

6
RFQ
DHG20I1200HA데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 20A 2.24 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 25 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247 -55°C ~ 150°C
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