단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
LSIC2SD120C05A

LSIC2SD120C05A

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 05A TO2

Littelfuse Inc.

6,070
RFQ
LSIC2SD120C05A데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - -
LSIC2SD065E16CCA

LSIC2SD065E16CCA

DIODE SIL CARB 650V 23A TO247AD

Littelfuse Inc.

9,958
RFQ
LSIC2SD065E16CCA데이터시트 GEN2 TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 415pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120E10CC

LSIC2SD120E10CC

DIODE SIC 1.2KV 17.5A TO247AD

Littelfuse Inc.

7,959
RFQ
LSIC2SD120E10CC데이터시트 Gen2 TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17.5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
DUR75120W

DUR75120W

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AC

Littelfuse Inc.

3,045
RFQ
DUR75120W데이터시트 DUR TO-247-2 Tube Active Standard 1200 V 75A 3.5 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 ns 650 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
LSIC2SD065D08A

LSIC2SD065D08A

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

Littelfuse Inc.

5,149
RFQ
LSIC2SD065D08A데이터시트 Gen2 TO-220-2 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.5 V @ 23 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns - - - - Through Hole TO-220AC -
LSIC2SD065E20CCA

LSIC2SD065E20CCA

DIODE SIL CARB 650V 27A TO247AD

Littelfuse Inc.

3,428
RFQ
LSIC2SD065E20CCA데이터시트 GEN2 TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
LSIC2SD065C10A

LSIC2SD065C10A

DIODE SIL CARB 650V 27A TO252

Littelfuse Inc.

8,889
RFQ
LSIC2SD065C10A데이터시트 Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 27A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120C08

LSIC2SD120C08

DIODE SIC 1.2KV 24.5A TO252L

Littelfuse Inc.

7,117
RFQ
LSIC2SD120C08데이터시트 Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 24.5A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 454pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
LSIC2SD120D10A

LSIC2SD120D10A

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A TO2

Littelfuse Inc.

7,333
RFQ
LSIC2SD120D10A데이터시트 Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V - - - - - - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-2L -
LSIC2SD120A10A

LSIC2SD120A10A

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220L

Littelfuse Inc.

4,026
RFQ
LSIC2SD120A10A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 582pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
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