단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
GER4004

GER4004

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204

Harris Corporation

3,407
RFQ
GER4004데이터시트 - DO-204, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 2 µA @ 400 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204 -65°C ~ 175°C
A114C

A114C

DIODE 300V 1A

Harris Corporation

11,097
RFQ
A114C데이터시트 - - Bulk Obsolete - 300 V 1A 1.3 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 150 µs 2 µA @ 300 V 10pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole - -65°C ~ 175°C
A14PX276

A14PX276

RECTIFIER DIODE

Harris Corporation

3,500
RFQ
A14PX276데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
A14F

A14F

DIODE GEN PURP 50V 1A DO204

Harris Corporation

12,634
RFQ
A14F데이터시트 - DO-204, Axial Bulk Active Standard 50 V 1A 1.2 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 200 µA @ 50 V 15pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-204 -65°C ~ 175°C
1N5060

1N5060

DIODE GEN PURP 400V 3A SOD57

Harris Corporation

12,363
RFQ
1N5060데이터시트 - SOD-57, Axial Bulk Active Standard 400 V 3A 1.1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 5 µA @ 400 V 40pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole SOD-57 -55°C ~ 175°C
A15B

A15B

DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL

Harris Corporation

2,616
RFQ
A15B데이터시트 - Axial Bulk Active Standard 200 V 5A 1.1 V @ 5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 5 µA @ 200 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 175°C
A115F

A115F

DIODE 50V 3A

Harris Corporation

34,046
RFQ
A115F데이터시트 - - Bulk Active - 50 V 3A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 150 µs 2 µA @ 50 V 40pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole - -65°C ~ 175°C
1N5062

1N5062

DIODE GEN PURP 800V 3A SOD57

Harris Corporation

5,060
RFQ
1N5062데이터시트 - SOD-57, Axial Bulk Active Standard 800 V 3A 1.1 V @ 2 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4 µs 5 µA @ 800 V 40pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole SOD-57 -55°C ~ 175°C
RHR1K160

RHR1K160

DIODE GEN PURP 600V 1A 8SOIC

Harris Corporation

3,746
RFQ
RHR1K160데이터시트 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active Standard 600 V 1A 2.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 100 µA @ 600 V - - - Surface Mount 8-SOIC -55°C ~ 150°C
A315A

A315A

DIODE GEN PURP 100V 3A AL-4

Harris Corporation

4,643
RFQ
A315A데이터시트 - DO-204, Axial Bulk Active Standard 100 V 3A 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 3 µA @ 100 V 100pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole AL-4 -65°C ~ 175°C
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