단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
S4D10120F

S4D10120F

DIODE SIC 1.2KV 10A ITO220AC

SMC Diode Solutions

788
RFQ
S4D10120F데이터시트 - TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC -55°C ~ 175°C
S3D10065E

S3D10065E

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK

SMC Diode Solutions

2,500
RFQ
S3D10065E데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S3D10065G

S3D10065G

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

SMC Diode Solutions

496
RFQ
S3D10065G데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 650 V 621pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
S3D30065A

S3D30065A

DIODE SIL CARB 650V 84A TO220AC

SMC Diode Solutions

996
RFQ
S3D30065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 84A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
S4D10120A

S4D10120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

SMC Diode Solutions

260
RFQ
S4D10120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D20065A

S3D20065A

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC

SMC Diode Solutions

289
RFQ
S3D20065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D20065H

S3D20065H

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

420
RFQ
S3D20065H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S4D10120E

S4D10120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK

SMC Diode Solutions

1,286
RFQ
S4D10120E데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 772pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S4D15120A

S4D15120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC

SMC Diode Solutions

192
RFQ
S4D15120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 15A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
S3D30065D1

S3D30065D1

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SMC Diode Solutions

255
RFQ
S3D30065D1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 84A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 2307pF @ 0V, 100MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
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