단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
S3D06065F

S3D06065F

DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC

SMC Diode Solutions

852
RFQ
S3D06065F데이터시트 - TO-220-2 Full Pack Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 8 µA @ 650 V 382pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole ITO-220AC (TO-220-2F) -55°C ~ 175°C
SDUR3020W

SDUR3020W

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC

SMC Diode Solutions

2,827
RFQ
SDUR3020W데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 30A 1.2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
S4D04120A

S4D04120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 4A TO220AC

SMC Diode Solutions

547
RFQ
S4D04120A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 4A 1.8 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC (TO-220-2) -55°C ~ 175°C
SDUR6030W

SDUR6030W

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247AC

SMC Diode Solutions

4,362
RFQ
SDUR6030W데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 300 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 10 µA @ 300 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 150°C
S4D05120E

S4D05120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK

SMC Diode Solutions

2,432
RFQ
S4D05120E데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 302pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S4D08120E

S4D08120E

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A DPAK

SMC Diode Solutions

2,606
RFQ
S4D08120E데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 8A 1.8 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 1200 V 560pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
S4D20120H

S4D20120H

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247AC

SMC Diode Solutions

300
RFQ
S4D20120H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 721pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
S3D50065D1

S3D50065D1

DIODE SIL CARB 650V 112A TO247AD

SMC Diode Solutions

244
RFQ
S3D50065D1데이터시트 - TO-247-3 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 112A 1.7 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 3100pF @ 0V, 100MHz - - Through Hole TO-247AD -55°C ~ 175°C
S4D40120H

S4D40120H

DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC

SMC Diode Solutions

687
RFQ
S4D40120H데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 128A 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 3227pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
122NQ030-1

122NQ030-1

DIODE SCHOTTKY 30V 120A PRM1-1

SMC Diode Solutions

298
RFQ
122NQ030-1데이터시트 - HALF-PAK Bulk Active Schottky 30 V 120A 490 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 30 V 7400pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount PRM1-1 (Half Pak Module) -55°C ~ 150°C
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