단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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EGL41BHE3_A/H

EGL41BHE3_A/H

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,231
RFQ
EGL41BHE3_A/H데이터시트 Superectifier® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 100 V 20pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
EGP31D-E3/D

EGP31D-E3/D

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,900
RFQ
EGP31D-E3/D데이터시트 SUPERECTIFIER® DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 200 V 3A 950 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 2 µA @ 200 V 117pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
EGP51A-E3/D

EGP51A-E3/D

DIODE GEN PURP 50V 5A DO201AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,809
RFQ
EGP51A-E3/D데이터시트 SUPERECTIFIER® DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 50 V 5A 960 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 50 V 117pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
EGP51C-E3/D

EGP51C-E3/D

DIODE GEN PURP 150V 5A DO201AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,346
RFQ
EGP51C-E3/D데이터시트 SUPERECTIFIER® DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 150 V 5A 960 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 150 V 117pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
EGP51D-E3/D

EGP51D-E3/D

DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,302
RFQ
EGP51D-E3/D데이터시트 SUPERECTIFIER® DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 200 V 5A 960 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 200 V 117pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
EGP51F-E3/D

EGP51F-E3/D

DIODE GEN PURP 300V 5A DO201AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,471
RFQ
EGP51F-E3/D데이터시트 SUPERECTIFIER® DO-201AD, Axial Tape & Box (TB) Active Standard 300 V 5A 1.25 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 5 µA @ 300 V 48pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole DO-201AD -65°C ~ 175°C
RGF1KHE3_A/H

RGF1KHE3_A/H

DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,453
RFQ
RGF1KHE3_A/H데이터시트 Superectifier® DO-214BA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 800 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 800 V 8.5pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214BA (GF1) -65°C ~ 175°C
RGF1MHE3_A/H

RGF1MHE3_A/H

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,851
RFQ
RGF1MHE3_A/H데이터시트 Superectifier® DO-214BA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 1000 V 8.5pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214BA (GF1) -65°C ~ 175°C
RGF1MHE3_A/I

RGF1MHE3_A/I

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,898
RFQ
RGF1MHE3_A/I데이터시트 Superectifier® DO-214BA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 1000 V 8.5pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214BA (GF1) -65°C ~ 175°C
RGL41KHE3_A/H

RGL41KHE3_A/H

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,937
RFQ
RGL41KHE3_A/H데이터시트 Superectifier® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
RGL41KHE3_A/I

RGL41KHE3_A/I

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,993
RFQ
RGL41KHE3_A/I데이터시트 Superectifier® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 800 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
RGL41MHE3_A/H

RGL41MHE3_A/H

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,152
RFQ
RGL41MHE3_A/H데이터시트 Superectifier® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
RGL41MHE3_A/I

RGL41MHE3_A/I

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,783
RFQ
RGL41MHE3_A/I데이터시트 Superectifier® DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 5 µA @ 1000 V 15pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 175°C
S1GHM3/61T

S1GHM3/61T

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,461
RFQ
S1GHM3/61T데이터시트 - DO-214AC, SMA Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.8 µs 1 µA @ 400 V 12pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214AC (SMA) -55°C ~ 150°C
S3GHM3/57T

S3GHM3/57T

DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,953
RFQ
S3GHM3/57T데이터시트 - DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 400 V 3A 1.15 V @ 2.5 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2.5 µs 10 µA @ 400 V 60pF @ 4V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-214AB (SMC) -55°C ~ 150°C
VS-15ETU12-N3

VS-15ETU12-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,385
RFQ
VS-15ETU12-N3데이터시트 FRED Pt® TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 15A 2.78 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 167 ns 80 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-8ETU12-N3

VS-8ETU12-N3

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,064
RFQ
VS-8ETU12-N3데이터시트 FRED Pt® TO-220-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 8A 2.55 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 144 ns 55 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-ETU3006FP-M3R

VS-ETU3006FP-M3R

DIODE

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,168
RFQ
VS-ETU3006FP-M3R데이터시트 - - Tube Active - - - - - - - - - - - - -
JAN1N1124A

JAN1N1124A

DIODE GEN PURP 200V DO203AA

Microchip Technology

6,647
RFQ
JAN1N1124A데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 200 V - 2.2 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/260 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 150°C
JANTX1N3168

JANTX1N3168

DIODE GP 400V 300A DO205AB DO9

Microchip Technology

8,733
RFQ
JANTX1N3168데이터시트 - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Active Standard 400 V 300A 1.55 V @ 940 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/211 Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 200°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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