단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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GB02SHT01-46

GB02SHT01-46

DIODE SIL CARBIDE 100V 4A TO46

GeneSiC Semiconductor

6,492
RFQ
GB02SHT01-46데이터시트 - TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Bulk Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 100 V 4A 1.6 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 100 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-46 -55°C ~ 210°C
VS-1EFH01WHM3-18

VS-1EFH01WHM3-18

DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,717
RFQ
VS-1EFH01WHM3-18데이터시트 FRED Pt® DO-219AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 1A 930 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 16 ns 2 µA @ 100 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount DO-219AB (SMF) -65°C ~ 175°C
VS-1EFH01W-M3-18

VS-1EFH01W-M3-18

DIODE GEN PURP 100V 1A DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,109
RFQ
VS-1EFH01W-M3-18데이터시트 FRED Pt® DO-219AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 1A 930 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 16 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount DO-219AB (SMF) -65°C ~ 175°C
VS-1EFH02W-M3-18

VS-1EFH02W-M3-18

DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,394
RFQ
VS-1EFH02W-M3-18데이터시트 FRED Pt® DO-219AB Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 1A 930 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 16 ns 2 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-219AB (SMF) -65°C ~ 175°C
BYC8B-600PQP

BYC8B-600PQP

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

NXP USA Inc.

4,645
RFQ
BYC8B-600PQP데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 8A 3.4 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 20 µA @ 600 V - - - Surface Mount D2PAK 175°C (Max)
GP2D050A120B

GP2D050A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2

SemiQ

8,045
RFQ
GP2D050A120B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 3174pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
C2D05120E-TR

C2D05120E-TR

DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252

Wolfspeed, Inc.

8,288
RFQ
C2D05120E-TR데이터시트 Zero Recovery™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17.5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 455pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
GP2D003A065A

GP2D003A065A

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2

SemiQ

7,306
RFQ
GP2D003A065A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 3A 1.65 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 650 V 158pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP2D005A120A

GP2D005A120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2

SemiQ

9,665
RFQ
GP2D005A120A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 317pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP2D005A120C

GP2D005A120C

DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO252-2L

SemiQ

8,410
RFQ
GP2D005A120C데이터시트 Amp+™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 317pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L (DPAK) -55°C ~ 175°C
GP2D005A170B

GP2D005A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 5A TO247-2

SemiQ

3,053
RFQ
GP2D005A170B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 5A 1.75 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1700 V 406pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP2D006A065A

GP2D006A065A

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2

SemiQ

4,038
RFQ
GP2D006A065A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 316pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP2D006A065C

GP2D006A065C

DIODE SIL CARB 650V 6A TO252-2L

SemiQ

9,030
RFQ
GP2D006A065C데이터시트 Amp+™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 650 V 316pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2L (DPAK) -55°C ~ 175°C
GP2D010A120A

GP2D010A120A

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

SemiQ

7,035
RFQ
GP2D010A120A데이터시트 Amp+™ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 635pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
GP2D010A120B

GP2D010A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2

SemiQ

6,089
RFQ
GP2D010A120B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 635pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP2D010A120C

GP2D010A120C

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252L

SemiQ

7,338
RFQ
GP2D010A120C데이터시트 Amp+™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1200 V 635pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
GP2D010A170B

GP2D010A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 10A TO247-2

SemiQ

8,424
RFQ
GP2D010A170B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 10A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 20 µA @ 1700 V 812pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP2D020A120B

GP2D020A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2

SemiQ

2,108
RFQ
GP2D020A120B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 1270pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP2D020A170B

GP2D020A170B

DIODE SIL CARB 1.7KV 20A TO247-2

SemiQ

7,267
RFQ
GP2D020A170B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 20A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1700 V 1624pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
GP2D030A120B

GP2D030A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

SemiQ

4,014
RFQ
GP2D030A120B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.8 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 60 µA @ 1200 V 1905pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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