단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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SB10-05A3-AT1

SB10-05A3-AT1

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41

onsemi

5,897
RFQ
SB10-05A3-AT1데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 50 V 1A 580 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 mA @ 50 V - - - Through Hole DO-41 125°C (Max)
SB10-05A3-BT

SB10-05A3-BT

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41

onsemi

9,599
RFQ
SB10-05A3-BT데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 50 V 1A 580 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 mA @ 50 V - - - Through Hole DO-41 125°C (Max)
SBE801-TL-H

SBE801-TL-H

DIODE SCHOTTKY 2A 30V CPH5

onsemi

4,303
RFQ
SBE801-TL-H데이터시트 * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - -
C3D1P7060Q

C3D1P7060Q

DIODE SIL CARB 600V 9.7A 10QFN

Wolfspeed, Inc.

6,720
RFQ
C3D1P7060Q데이터시트 Z-Rec® 10-PowerTQFN Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 9.7A 1.7 V @ 1.7 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 100pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount 10-Power QFN (3.3x3.3) -55°C ~ 160°C
GPP100MS-E3/54

GPP100MS-E3/54

DIODE GEN PURP 1KV 10A P600

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,691
RFQ
GPP100MS-E3/54데이터시트 - P600, Axial Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 1000 V 10A 1.05 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5.5 µs 5 µA @ 1000 V 110pF @ 4V, 1MHz - - Through Hole P600 -55°C ~ 175°C
IDH10G65C5XKSA1

IDH10G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

Infineon Technologies

7,297
RFQ
IDH10G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 340 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH05G65C5XKSA1

IDH05G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 5A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,413
RFQ
IDH05G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 170 µA @ 650 V 160pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH08G65C5XKSA1

IDH08G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2-2

Infineon Technologies

4,174
RFQ
IDH08G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 8A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 280 µA @ 650 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW40G65C5FKSA1

IDW40G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

Infineon Technologies

3,629
RFQ
IDW40G65C5FKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Bulk Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 40A 1.7 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 1.4 mA @ 650 V 1140pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
IDH20G65C5XKSA1

IDH20G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Infineon Technologies

3,626
RFQ
IDH20G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 700 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW10G65C5FKSA1

IDW10G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3

Infineon Technologies

5,244
RFQ
IDW10G65C5FKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 10A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 400 µA @ 650 V 300pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
IDH03G65C5XKSA1

IDH03G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2

Infineon Technologies

5,340
RFQ
IDH03G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 3A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 100pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH06G65C5XKSA1

IDH06G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2-2

Infineon Technologies

8,969
RFQ
IDH06G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 6A 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 210 µA @ 650 V 190pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH04G65C5XKSA1

IDH04G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,826
RFQ
IDH04G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 4A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 140 µA @ 650 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDW12G65C5FKSA1

IDW12G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-3

Infineon Technologies

9,222
RFQ
IDW12G65C5FKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12A 1.7 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 500 µA @ 650 V 360pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-41 -55°C ~ 175°C
IDW16G65C5FKSA1

IDW16G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3

Infineon Technologies

3,635
RFQ
IDW16G65C5FKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
IDW20G65C5FKSA1

IDW20G65C5FKSA1

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

Infineon Technologies

4,510
RFQ
IDW20G65C5FKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-247-3 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 700 µA @ 650 V 590pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO247-3-1 -55°C ~ 175°C
IDH09G65C5XKSA1

IDH09G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-2

Infineon Technologies

9,643
RFQ
IDH09G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.7 V @ 9 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 310 µA @ 650 V 270pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH16G65C5XKSA1

IDH16G65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2

Infineon Technologies

8,688
RFQ
IDH16G65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 550 µA @ 650 V 470pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
CD1206-S01575

CD1206-S01575

DIODE GEN PURP 100V 150MA 1206

Bourns Inc.

4,511
RFQ
CD1206-S01575데이터시트 - 1206 (3216 Metric) Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 100 V 150mA 1 V @ 50 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 2.5 µA @ 100 V 3pF @ 0V, 100MHz - - Surface Mount 1206 -55°C ~ 125°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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