단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
VS-60EPF02PBF

VS-60EPF02PBF

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,234
RFQ
VS-60EPF02PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-10ETF06PBF

VS-10ETF06PBF

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,207
RFQ
VS-10ETF06PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 10A 1.2 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns - - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-10ETF10PBF

VS-10ETF10PBF

DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,331
RFQ
VS-10ETF10PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns - - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-10ETF12PBF

VS-10ETF12PBF

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,035
RFQ
VS-10ETF12PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 10A 1.33 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 310 ns - - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-10ETS08PBF

VS-10ETS08PBF

DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,183
RFQ
VS-10ETS08PBF데이터시트 - TO-220-2 Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 10A 1.1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-10ETS12PBF

VS-10ETS12PBF

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,812
RFQ
VS-10ETS12PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 10A 1.1 V @ 10 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-20ETF06PBF

VS-20ETF06PBF

DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,511
RFQ
VS-20ETF06PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-20ETF10PBF

VS-20ETF10PBF

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,118
RFQ
VS-20ETF10PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1000 V 20A 1.3 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-20ETS08PBF

VS-20ETS08PBF

DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,059
RFQ
VS-20ETS08PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-20ETS12PBF

VS-20ETS12PBF

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,941
RFQ
VS-20ETS12PBF데이터시트 - TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 20A 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 150°C
VS-30EPF06PBF

VS-30EPF06PBF

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,527
RFQ
VS-30EPF06PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-40EPF04PBF

VS-40EPF04PBF

DIODE GP 400V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,815
RFQ
VS-40EPF04PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 400 V 40A 1.25 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-40EPF06PBF

VS-40EPF06PBF

DIODE GP 600V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,494
RFQ
VS-40EPF06PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 40A 1.25 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-40EPS08PBF

VS-40EPS08PBF

DIODE GP 800V 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,026
RFQ
VS-40EPS08PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 800 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-40EPS12PBF

VS-40EPS12PBF

DIODE GP 1.2KV 40A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,648
RFQ
VS-40EPS12PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 40A 1.1 V @ 40 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60APU04PBF

VS-60APU04PBF

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,164
RFQ
VS-60APU04PBF데이터시트 - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 400 V 60A 1.25 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 50 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-60EPF06PBF

VS-60EPF06PBF

DIODE GP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,873
RFQ
VS-60EPF06PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF12PBF

VS-60EPF12PBF

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,877
RFQ
VS-60EPF12PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPS08PBF

VS-60EPS08PBF

DIODE GP 800V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,764
RFQ
VS-60EPS08PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 800 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 800 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPS12PBF

VS-60EPS12PBF

DIODE GP 1.2KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,192
RFQ
VS-60EPS12PBF데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 60A 1.09 V @ 60 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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