단일 다이오드
| 사진 | 제조사 부품번호 | 재고 여부 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
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QS50T45TSolar Schottky Diode Quest Semi |
900 |
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- | Module | Tube | Active | Schottky | 45 V | 50A | 500 mV @ 30 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | 80 mA @ 45 V | - | - | - | Chassis Mount | - | -55°C ~ 200°C |
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QS50T45DSolar Schottky Diode Quest Semi |
1,000 |
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- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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QSD50HCS120U1200v 50amp SiC Schottky Barrier Quest Semi |
1,000 |
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- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 149A | 1.7 V @ 50 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | 2380000pF @ 0V, 1MHz | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-220-2L | -55°C ~ 175°C |
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QSD10HCS120USchottky barrier diode 1200v 10a Quest Semi |
1,600 |
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- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1200 V | 37A | 1.8 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 250 µA @ 1200 V | 770pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
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QSD25HCS170U1700v 25amp SiC Schottky Barrier Quest Semi |
1,233 |
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- | TO-247-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 1700 V | 94A | 1.9 V @ 25 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 10 µA @ 1700 V | 2822pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-247-2 | -55°C ~ 175°C |
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QSD10HCS500U5000v 10amp Homogeneous SiC Scho Quest Semi |
500 |
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- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 5000 V | 66A | 1.9 V @ 10 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 600 µA @ 5000 V | 3880pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220-2 | -55°C ~ 175°C |
