단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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IDD05SG60CXTMA1

IDD05SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3

Infineon Technologies

6,204
RFQ
IDD05SG60CXTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 5A 2.3 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 600 V 110pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD06SG60CXTMA1

IDD06SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3

Infineon Technologies

7,200
RFQ
IDD06SG60CXTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD08SG60CXTMA1

IDD08SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3

Infineon Technologies

7,387
RFQ
IDD08SG60CXTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 2.1 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 600 V 240pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD09SG60CXTMA1

IDD09SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3

Infineon Technologies

5,336
RFQ
IDD09SG60CXTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 9A 2.1 V @ 9 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 600 V 280pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD10SG60CXTMA1

IDD10SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3

Infineon Technologies

2,520
RFQ
IDD10SG60CXTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDD12SG60CXTMA1

IDD12SG60CXTMA1

DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3

Infineon Technologies

2,593
RFQ
IDD12SG60CXTMA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 2.1 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount PG-TO252-3 -55°C ~ 175°C
IDH02SG120XKSA1

IDH02SG120XKSA1

DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2

Infineon Technologies

3,403
RFQ
IDH02SG120XKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 2A 1.8 V @ 2 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 48 µA @ 1200 V 125pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH03SG60CXKSA1

IDH03SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 3A TO220-2

Infineon Technologies

7,237
RFQ
IDH03SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 3A 2.3 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 15 µA @ 600 V 60pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH04SG60CXKSA1

IDH04SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2

Infineon Technologies

7,979
RFQ
IDH04SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 4A 2.3 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 600 V 80pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH05S120AKSA1

IDH05S120AKSA1

DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220-2

Infineon Technologies

8,182
RFQ
IDH05S120AKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 250pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH06SG60CXKSA1

IDH06SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2

Infineon Technologies

6,974
RFQ
IDH06SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 6A 2.3 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 130pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH08S120AKSA1

IDH08S120AKSA1

DIODE SIC 1.2KV 7.5A TO220

Infineon Technologies

8,325
RFQ
IDH08S120AKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 7.5A 1.8 V @ 7.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V 380pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH08SG60CXKSA1

IDH08SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,703
RFQ
IDH08SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 8A 2.1 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 70 µA @ 600 V 240pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH09SG60CXKSA1

IDH09SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-2

Infineon Technologies

2,540
RFQ
IDH09SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 9A 2.1 V @ 9 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 600 V 280pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH10SG60CXKSA1

IDH10SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2

Infineon Technologies

2,590
RFQ
IDH10SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A 2.1 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 600 V 290pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
IDH12SG60CXKSA1

IDH12SG60CXKSA1

DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2

Infineon Technologies

3,333
RFQ
IDH12SG60CXKSA1데이터시트 CoolSiC™+ TO-220-2 Tube Discontinued at Digi-Key SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 12A 2.1 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 600 V 310pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole PG-TO220-2-2 -55°C ~ 175°C
MA21D380GL

MA21D380GL

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMINI2-F2

Panasonic Electronic Components

6,897
RFQ
MA21D380GL데이터시트 - 2-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 30 V 1A 420 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 13 ns 100 µA @ 30 V 40pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount SMini2-F2 125°C (Max)
FFD20UP20S

FFD20UP20S

DIODE GEN PURP 200V 20A TO252AA

onsemi

6,484
RFQ
FFD20UP20S데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Standard 200 V 20A 1.15 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 200 V - - - Surface Mount TO-252AA -65°C ~ 150°C
FFP08D60L2

FFP08D60L2

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

onsemi

9,732
RFQ
FFP08D60L2데이터시트 - TO-220-2 Tube Obsolete Standard 600 V 8A 3.6 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 10 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-220-2 -65°C ~ 150°C
DPF120X200NA

DPF120X200NA

DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227B

IXYS

3,206
RFQ
DPF120X200NA데이터시트 - SOT-227-4, miniBLOC Tube Active Standard 200 V 120A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis Mount SOT-227B -

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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