단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
D2450N02TXPSA1

D2450N02TXPSA1

DIODE GEN PURP 200V 2450A

Infineon Technologies

4,896
RFQ
D2450N02TXPSA1데이터시트 - DO-200AB, B-PUK Tray Obsolete Standard 200 V 2450A 880 mV @ 2000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 200 V - - - Clamp On - -40°C ~ 180°C
RA201236XX

RA201236XX

DIODE GP 1.2KV 3600A POW-R-DISC

Powerex Inc.

4,232
RFQ
RA201236XX데이터시트 - DO-200AD Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 3600A 1.15 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 22 µs 200 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount Pow-R-Disc -
688-18

688-18

DIODE GEN PURP 18KV 350MA

Microchip Technology

4,472
RFQ
688-18데이터시트 - Module Bulk Active Standard 18000 V 350mA 30 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 18000 V - - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
688-10

688-10

DIODE GEN PURP 10KV 600MA

Microchip Technology

7,665
RFQ
688-10데이터시트 - Module Bulk Active Standard 10000 V 600mA 17 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 10000 V - - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
688-25

688-25

DIODE GEN PURP 25KV 200MA

Microchip Technology

6,911
RFQ
688-25데이터시트 - Module Bulk Active Standard 25000 V 200mA 42 V @ 400 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 500 ns 2 µA @ 25000 V - - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
688-12

688-12

DIODE GEN PURP 12KV 500MA

Microchip Technology

9,560
RFQ
688-12데이터시트 - Module Bulk Active Standard 12000 V 500mA 20 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 12000 V - - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
688-20

688-20

DIODE GEN PURP 20KV 300MA

Microchip Technology

9,068
RFQ
688-20데이터시트 - Module Bulk Active Standard 20000 V 300mA 34 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 20000 V - - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
688-15

688-15

DIODE GEN PURP 15KV 400MA

Microchip Technology

6,659
RFQ
688-15데이터시트 - Module Bulk Active Standard 15000 V 400mA 25 V @ 400 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 2 µA @ 15000 V - - - Chassis Mount - -65°C ~ 150°C
1N6776

1N6776

DIODE GEN PURP 150V 15A TO257

Microchip Technology

4,094
RFQ
1N6776데이터시트 - TO-257-3 Bulk Active Standard 150 V 15A 1.15 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 800 mV 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -65°C ~ 150°C
1N6777

1N6777

DIODE GEN PURP 200V 15A TO257

Microchip Technology

6,493
RFQ
1N6777데이터시트 - TO-257-3 Bulk Active Standard 200 V 15A 1.15 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 800 mV 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -65°C ~ 150°C
1N6778

1N6778

DIODE GEN PURP 400V 15A TO257

Microchip Technology

2,182
RFQ
1N6778데이터시트 - TO-257-3 Bulk Active Standard 400 V 15A 1.6 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 320 V 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-257 150°C (Max)
1N6779

1N6779

DIODE GEN PURP 600V 15A TO257

Microchip Technology

5,430
RFQ
1N6779데이터시트 - TO-257-3 Bulk Active Standard 600 V 15A 1.6 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 10 µA @ 480 V 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-257 150°C (Max)
1N6772

1N6772

UFR,FRR

Microchip Technology

2,606
RFQ
1N6772데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N6773

1N6773

UFR,FRR

Microchip Technology

2,741
RFQ
1N6773데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
D2200N22TVFXPSA1

D2200N22TVFXPSA1

DIODE GEN PURP 2200A D7526K0-1

Infineon Technologies

3,887
RFQ
D2200N22TVFXPSA1데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Tray Active Standard - 2200A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 150 mA @ 2200 V - - - Clamp On BG-D7526K0-1 -40°C ~ 160°C
GAP05SLT80-220

GAP05SLT80-220

DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL

GeneSiC Semiconductor

9,212
RFQ
GAP05SLT80-220데이터시트 - Axial Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 8000 V 50mA 4.6 V @ 50 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 3.8 µA @ 8000 V 25pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole - -55°C ~ 175°C
RA201248XX

RA201248XX

DIODE GP 1.2KV 4800A POW-R-DISC

Powerex Inc.

8,399
RFQ
RA201248XX데이터시트 - DO-200AD Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1200 V 4800A 1.05 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 16 µs 200 mA @ 1200 V - - - Chassis Mount Pow-R-Disc -
RA201436XX

RA201436XX

DIODE GP 1.4KV 3600A POW-R-DISC

Powerex Inc.

4,362
RFQ
RA201436XX데이터시트 - DO-200AD Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 1400 V 3600A 1.15 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 22 µs 200 mA @ 1400 V - - - Chassis Mount Pow-R-Disc -
JANHCA1N6702

JANHCA1N6702

DIODE SCHOTTKY 40V 5A AXIAL

Microchip Technology

2,613
RFQ
JANHCA1N6702데이터시트 - Axial Bulk Active Schottky 40 V 5A 470 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 40 V - - - Through Hole Axial -65°C ~ 125°C
1N6774

1N6774

DIODE GEN PURP 50V 15A TO257

Microchip Technology

5,977
RFQ
1N6774데이터시트 - TO-257-3 Bulk Active Standard 50 V 15A 1.15 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 800 mV 300pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -65°C ~ 150°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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