단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
W2624NC240

W2624NC240

DIODE GEN PURP 2.4KV 2624A W5

IXYS

2,198
RFQ
W2624NC240데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2400 V 2624A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Clamp On W5 -
LS410860

LS410860

DIODE GP 800V 600A POW-R-BLOK

Powerex Inc.

6,591
RFQ
LS410860데이터시트 - POW-R-BLOK™ Module Bulk Active Standard 800 V 600A 1.19 V @ 1800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 800 V - - - Chassis Mount POW-R-BLOK™ Module -
1N8030-GA

1N8030-GA

DIODE SIL CARB 650V 750MA TO257

GeneSiC Semiconductor

8,359
RFQ
1N8030-GA데이터시트 - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 750mA 1.39 V @ 750 mA No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
JANTXV1N6843U3

JANTXV1N6843U3

SCHOTTKY DIODE

Microchip Technology

4,024
RFQ
JANTXV1N6843U3데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
1N8031-GA

1N8031-GA

DIODE SIL CARBIDE 650V 1A TO276

GeneSiC Semiconductor

9,043
RFQ
1N8031-GA데이터시트 - TO-276AA Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1A 1.5 V @ 1 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 76pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-276 -55°C ~ 250°C
MSASC25H45KV/TR

MSASC25H45KV/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 25A THINKEY2

Microchip Technology

7,145
RFQ
MSASC25H45KV/TR데이터시트 - ThinKey™2 Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 25A 610 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Surface Mount ThinKey™2 -55°C ~ 150°C
VSKE320-20

VSKE320-20

DIODE GEN PURP 2KV 320A MAGNAPAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,594
RFQ
VSKE320-20데이터시트 - 3-MAGN-A-PAK™ Bulk Obsolete Standard 2000 V 320A - Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 mA @ 2000 V - - - Chassis Mount MAGN-A-PAK® -
1N8032-GA

1N8032-GA

DIODE SIL CARB 650V 2.5A TO257

GeneSiC Semiconductor

9,538
RFQ
1N8032-GA데이터시트 - TO-257-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 2.5A 1.3 V @ 2.5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 5 µA @ 650 V 274pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-257 -55°C ~ 250°C
1N6492U4

1N6492U4

DIODE SCHOTTKY 45V 3.6A U4

Microchip Technology

9,908
RFQ
1N6492U4데이터시트 - 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 45 V 3.6A 560 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 2 mA @ 45 V 450pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount U4 -65°C ~ 175°C
R6012225XXYA

R6012225XXYA

DIODE GP REV 2.2KV 250A DO205AB

Powerex Inc.

2,924
RFQ
R6012225XXYA데이터시트 - DO-205AB, DO-9, Stud Bulk Discontinued at Digi-Key Standard, Reverse Polarity 2200 V 250A 1.5 V @ 800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 11 µs 50 mA @ 2200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-205AB (DO-9) -65°C ~ 175°C
R9G00622XX

R9G00622XX

DIODE GP 600V 2200A DO200AB

Powerex Inc.

6,899
RFQ
R9G00622XX데이터시트 - DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 2200A 1.1 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 15 µs 150 mA @ 600 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
R9G00818XX

R9G00818XX

DIODE GP 800V 1800A DO200AB

Powerex Inc.

7,723
RFQ
R9G00818XX데이터시트 - DO-200AB, B-PUK Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 800 V 1800A 1.2 V @ 1500 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25 µs 150 mA @ 800 V - - - Clamp On DO-200AB, B-PUK -
JANTXV1N5812

JANTXV1N5812

DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

Microchip Technology

7,919
RFQ
JANTXV1N5812데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard 50 V 20A 950 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 10 µA @ 50 V 300pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/478 Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
1N6842U3

1N6842U3

DIODE SCHOTTKY 60V 10A U3

Microchip Technology

6,424
RFQ
1N6842U3데이터시트 - 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 60 V 10A 900 mV @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V 400pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -65°C ~ 150°C
1N6841U3

1N6841U3

DIODE SCHOTTKY 45V 10A U3

Microchip Technology

6,367
RFQ
1N6841U3데이터시트 - 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 45 V 10A 880 mV @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 45 V 400pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -65°C ~ 150°C
1N6842

1N6842

DIODE SCHOTTKY 60V 10A U3

Microchip Technology

2,561
RFQ
1N6842데이터시트 - 3-SMD, No Lead Bulk Active Schottky 60 V 10A 780 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V 400pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -55°C ~ 150°C
1N6842/TR

1N6842/TR

DIODE SCHOTTKY 60V 10A U3

Microchip Technology

7,706
RFQ
1N6842/TR데이터시트 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 10A 780 mV @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 60 V 400pF @ 10V, 1MHz - - Surface Mount U3 (SMD-0.5) -55°C ~ 150°C
W4767MC220

W4767MC220

DIODE GEN PURP 2.2KV 4755A W54

IXYS

4,849
RFQ
W4767MC220데이터시트 - DO-200AC, K-PUK Box Active Standard 2200 V 4755A 1.05 V @ 3000 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 26 µs 50 mA @ 2200 V - - - Clamp On W54 -40°C ~ 175°C
LST7764

LST7764

70V 33MA SMALL-SIGNAL SCHOTTKY S

Microchip Technology

7,126
RFQ
LST7764데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
LST7765

LST7765

70V 33MA SMALL-SIGNAL SCHOTTKY S

Microchip Technology

3,083
RFQ
LST7765데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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