단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
FFSD1065B

FFSD1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

4,116
RFQ
FFSD1065B데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSM0865B

FFSM0865B

DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

onsemi

2,980
RFQ
FFSM0865B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.6A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 336pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB0665A

FFSB0665A

DIODE SIL CARB 650V 9A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB0665A데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 9A 1.75 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 361pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP2065B

FFSP2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220

onsemi

397
RFQ
FFSP2065B데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.5A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSD1065B-F085

FFSD1065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 13.5A DPAK

onsemi

1,968
RFQ
FFSD1065B-F085데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
FFSM1065B

FFSM1065B

DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN

onsemi

4,519
RFQ
FFSM1065B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 13.5A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 424pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSM1265A

FFSM1265A

DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN

onsemi

2,585
RFQ
FFSM1265A데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 12.5A 1.75 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 665pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB2065B

FFSB2065B

DIODE SIL CARB 650V 22.8A D2PAK

onsemi

2,178
RFQ
FFSB2065B데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 22.8A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSB1065A

FFSB1065A

DIODE SCHOTTKY 650V 14A D2PAK-3

onsemi

800
RFQ
FFSB1065A데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 14A 1.75 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V 575pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSP3065B-F085

FFSP3065B-F085

DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2

onsemi

1,600
RFQ
FFSP3065B-F085데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
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