단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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MBRF40250TG

MBRF40250TG

DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220FP

onsemi

7,421
RFQ
MBRF40250TG데이터시트 SWITCHMODE™ TO-220-3 Full Pack Tube Active Schottky 250 V 40A 970 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 35 ns 30 µA @ 250 V 500pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-220FP -65°C ~ 150°C
RHRG3060-F085

RHRG3060-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

197
RFQ
RHRG3060-F085데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 250 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
ISL9R3060G2-F085

ISL9R3060G2-F085

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

onsemi

418
RFQ
ISL9R3060G2-F085데이터시트 Stealth™ TO-247-2 Tube Active Avalanche 600 V 30A 2.4 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 100 µA @ 600 V - Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSP2065A

FFSP2065A

DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2

onsemi

3,918
RFQ
FFSP2065A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 25A 1.75 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 1085pF @ 1V, 100kHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
FFSM2065B

FFSM2065B

DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN

onsemi

2,096
RFQ
FFSM2065B데이터시트 - 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.4A 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 866pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount 4-PQFN (8x8) -55°C ~ 175°C
FFSB2065BDN-F085

FFSB2065BDN-F085

DIODE SIC 650V 23.6A D2PAK-3

onsemi

659
RFQ
FFSB2065BDN-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 23.6A 1.75 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 421pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSD08120A

FFSD08120A

DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA

onsemi

2,010
RFQ
FFSD08120A데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22.5A 1.75 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 538pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
FFSB3065B

FFSB3065B

DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2

onsemi

3,732
RFQ
FFSB3065B데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz - - Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
FFSH10120A-F085

FFSH10120A-F085

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

onsemi

895
RFQ
FFSH10120A-F085데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V 612pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
FFSB3065B-F085

FFSB3065B-F085

DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK

onsemi

4,032
RFQ
FFSB3065B-F085데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 73A 1.7 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 1280pF @ 1V, 100kHz Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK) -55°C ~ 175°C
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