단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
UES1002SM

UES1002SM

DIODE GEN PURP A AXIAL

Microchip Technology

4,567
RFQ
UES1002SM데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard - - 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -
UES1003SM

UES1003SM

RECTIFIER

Microchip Technology

9,766
RFQ
UES1003SM데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
UES1003SM-1

UES1003SM-1

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,133
RFQ
UES1003SM-1데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 150 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1002SM-1

UES1002SM-1

DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

6,366
RFQ
UES1002SM-1데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1001SM

UES1001SM

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,433
RFQ
UES1001SM데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
VS-T70HFL40S05

VS-T70HFL40S05

DIODE GEN PURP 400V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,067
RFQ
VS-T70HFL40S05데이터시트 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 400 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 400 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL60S05

VS-T70HFL60S05

DIODE GEN PURP 600V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,038
RFQ
VS-T70HFL60S05데이터시트 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 600 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 600 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL10S10

VS-T70HFL10S10

DIODE GEN PURP 100V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,986
RFQ
VS-T70HFL10S10데이터시트 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 100 V 70A 1.73 V @ 70 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 110 ns 20 mA @ 100 V - - - Chassis Mount D-55 -40°C ~ 125°C
UES1302E3

UES1302E3

DIODE GEN PURP 100V 6A B AXIAL

Microchip Technology

6,819
RFQ
UES1302E3데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 100 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V - - - Through Hole B, Axial 175°C
UES1301/TR

UES1301/TR

DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

Microchip Technology

7,137
RFQ
UES1301/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 175°C
UES1003SM/TR

UES1003SM/TR

RECTIFIER UFR,FRR

Microchip Technology

5,229
RFQ
UES1003SM/TR데이터시트 - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - -
UES1002SM/TR

UES1002SM/TR

DIODE GEN PURP A AXIAL

Microchip Technology

2,734
RFQ
UES1002SM/TR데이터시트 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard - - 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns - - - - Through Hole A, Axial -
UES1101SME3

UES1101SME3

DIODE GEN PURP 50V 2.5A A AXIAL

Microchip Technology

3,983
RFQ
UES1101SME3데이터시트 - Axial Bulk Active Standard 50 V 2.5A 975 mV @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Through Hole A, Axial 175°C
UES1002SM-1/TR

UES1002SM-1/TR

DIODE GEN PURP 100V 2A A SQ-MELF

Microchip Technology

9,712
RFQ
UES1002SM-1/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 2A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 100 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1001SM/TR

UES1001SM/TR

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

2,615
RFQ
UES1001SM/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
UES1003SM-1/TR

UES1003SM-1/TR

DIODE GEN PURP 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

5,937
RFQ
UES1003SM-1/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard - 1A 975 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 2 µA @ 150 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -55°C ~ 175°C
VS-T70HFL80S05

VS-T70HFL80S05

DIODE GEN PURP 800V 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,843
RFQ
VS-T70HFL80S05데이터시트 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 800 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 800 V - - - Chassis Mount D-55 -
VS-T70HFL100S05

VS-T70HFL100S05

DIODE GEN PURP 1KV 70A D-55

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,404
RFQ
VS-T70HFL100S05데이터시트 - D-55 T-Module Bulk Active Standard 1000 V 70A - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 1000 V - - - Chassis Mount D-55 -
UES1105

UES1105

DIODE GEN PURP 300V 2A A AXIAL

Microchip Technology

7,490
RFQ
UES1105데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 300 V 2A 1.25 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns - - - - Through Hole A, Axial -55°C ~ 150°C
UES1301

UES1301

DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL

Microchip Technology

5,239
RFQ
UES1301데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 50 V 6A 925 mV @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns - - - - Through Hole B, Axial -55°C ~ 175°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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