단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
JAN1N6630US

JAN1N6630US

DIODE GEN PURP 900V 1.4A D-5B

Microchip Technology

5,257
RFQ
JAN1N6630US데이터시트 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 900 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50 ns 2 µA @ 900 V - Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
JAN1N6631U

JAN1N6631U

DIODE GEN PURP 1KV 1.4A D-5B

Microsemi Corporation

5,161
RFQ
JAN1N6631U데이터시트 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 1000 V 1.4A 1.6 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 4 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
JAN1N6631US

JAN1N6631US

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D-5B

Microchip Technology

8,033
RFQ
JAN1N6631US데이터시트 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 1100 V 1.4A 1.6 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 4 µA @ 1100 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
JANTXV1N6620US/TR

JANTXV1N6620US/TR

DIODE GEN PURP 220V 1.2A D-5A

Microchip Technology

6,682
RFQ
JANTXV1N6620US/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 220 V - Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount D-5A -65°C ~ 150°C
JANTXV1N6620U/TR

JANTXV1N6620U/TR

DIODE GP 220V 1.2A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,311
RFQ
JANTXV1N6620U/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 220 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 500 nA @ 220 V - Military MIL-PRF-19500/585 Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
1N6073US/TR

1N6073US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

6,509
RFQ
1N6073US/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 850mA 2.04 V @ 9.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 1 µA @ 50 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 155°C
VS-180NQ045PBF

VS-180NQ045PBF

DIODE SCHOTTKY 45V 180A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,614
RFQ
VS-180NQ045PBF데이터시트 - D-67 HALF-PAK Bulk Active Schottky 45 V 180A 600 mV @ 180 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 15 mA @ 45 V 7700pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
JANS1N6642U

JANS1N6642U

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

5,544
RFQ
JANS1N6642U데이터시트 - SQ-MELF, D Tray Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JANS1N6642US

JANS1N6642US

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

Microchip Technology

7,877
RFQ
JANS1N6642US데이터시트 - D, SQ-MELF Bulk Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5D -65°C ~ 175°C
JAN1N6630US/TR

JAN1N6630US/TR

UFR,FRR

Microchip Technology

4,754
RFQ
JAN1N6630US/TR데이터시트 - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 900 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2 µA @ 900 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500 Surface Mount E-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6631US/TR

JAN1N6631US/TR

DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D-5B

Microchip Technology

6,141
RFQ
JAN1N6631US/TR데이터시트 - SQ-MELF, E Tape & Reel (TR) Active Standard 1100 V 1.4A 1.6 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 4 µA @ 1100 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount D-5B -65°C ~ 150°C
JAN1N6631U/TR

JAN1N6631U/TR

DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Microchip Technology

6,443
RFQ
JAN1N6631U/TR데이터시트 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1.4A 1.6 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 4 µA @ 1000 V - Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount E-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6628US/TR

JAN1N6628US/TR

DIODE GP 660V 1.75A E-MELF

Microchip Technology

3,792
RFQ
JAN1N6628US/TR데이터시트 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 660 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount E-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6630U/TR

JAN1N6630U/TR

DIODE GP 990V 1.4A SQ-MELF B

Microchip Technology

5,630
RFQ
JAN1N6630U/TR데이터시트 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 990 V 1.4A 1.4 V @ 1.4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 2 µA @ 990 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
JAN1N6628U/TR

JAN1N6628U/TR

DIODE GP 660V 1.75A SQ-MELF

Microchip Technology

6,777
RFQ
JAN1N6628U/TR데이터시트 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 2 µA @ 660 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 150°C
150L40A

150L40A

DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,994
RFQ
150L40A데이터시트 - DO-205AC, DO-30, Stud Bulk Obsolete Standard 400 V 150A 1.33 V @ 471 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 35 mA @ 400 V - - - Stud Mount DO-205AC (DO-30) -40°C ~ 200°C
JANTXV1N6628

JANTXV1N6628

DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Microchip Technology

4,641
RFQ
JANTXV1N6628데이터시트 - E, Axial Bulk Active Standard 660 V 1.75A 1.35 V @ 2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 2 µA @ 660 V 40pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/590 Through Hole - -65°C ~ 150°C
125NQ015

125NQ015

DIODE SCHOTTKY 15V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,224
RFQ
125NQ015데이터시트 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 15 V 120A 390 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 15 V 7700pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
125NQ015R

125NQ015R

DIODE SCHOTTKY 15V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,198
RFQ
125NQ015R데이터시트 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 15 V 120A 390 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 40 mA @ 15 V 7700pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
SD51R

SD51R

DIODE SCHOTTKY REV 45V 60A DO5

GeneSiC Semiconductor

3,318
RFQ
SD51R데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Schottky, Reverse Polarity 45 V 60A 660 mV @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 45 V - - - Chassis, Stud Mount DO-5 -65°C ~ 150°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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