단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
UTR62

UTR62

DIODE GEN PURP 600V 2A A AXIAL

Microchip Technology

2,118
RFQ
UTR62데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 2A 1.1 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 3 µA @ 600 V 40pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JANTX1N5419

JANTX1N5419

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

9,180
RFQ
JANTX1N5419데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
LSIC2SD120D10

LSIC2SD120D10

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO263L

Littelfuse Inc.

5,546
RFQ
LSIC2SD120D10데이터시트 Gen2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 582pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-263-2L -55°C ~ 175°C
JAN1N5420/TR

JAN1N5420/TR

DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL

Microchip Technology

6,191
RFQ
JAN1N5420/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 400 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
WBST080SCM120CGALW

WBST080SCM120CGALW

WBST080SCM120CGAL/NAU000/NO MARK

WeEn Semiconductors

4,318
RFQ
WBST080SCM120CGALW데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
LSIC2SD065C16A

LSIC2SD065C16A

DIODE SIL CARB 650V 38A TO252

Littelfuse Inc.

9,017
RFQ
LSIC2SD065C16A데이터시트 Gen2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 38A 1.8 V @ 16 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 730pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 (DPAK) -55°C ~ 175°C
80EPF12

80EPF12

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,130
RFQ
80EPF12데이터시트 - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1200 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -65°C ~ 175°C
JANTXV1N5417/TR

JANTXV1N5417/TR

DIODE GEN PURP 200V 3A

Microchip Technology

9,598
RFQ
JANTXV1N5417/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
121NQ040

121NQ040

DIODE SCHOTTKY 40V 120A D-67

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,604
RFQ
121NQ040데이터시트 - D-67 HALF-PAK Bulk Obsolete Schottky 40 V 120A 650 mV @ 120 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 10 mA @ 40 V 5200pF @ 5V, 1MHz - - Chassis Mount D-67 HALF-PAK -
AIDW40S65C5XKSA1

AIDW40S65C5XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 40A TO247-3

Infineon Technologies

3,227
RFQ
AIDW40S65C5XKSA1데이터시트 CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 40A 1.7 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 650 V 1138pF @ 1V, 1MHz Automotive AEC-Q100/101 Through Hole PG-TO247-3-41 -40°C ~ 175°C
CDLL5819E3/TR

CDLL5819E3/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

3,322
RFQ
CDLL5819E3/TR데이터시트 - DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 125°C
JANTX1N5419/TR

JANTX1N5419/TR

DIODE GEN PURP 500V 3A

Microchip Technology

4,929
RFQ
JANTX1N5419/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
UT252

UT252

DIODE GEN PURP 200V 1A A AXIAL

Microchip Technology

4,679
RFQ
UT252데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 200 V 1A 1 V @ 750 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 2 µA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5417US

JAN1N5417US

DIODE GEN PURP 200V 3A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,610
RFQ
JAN1N5417US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 200 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 1 µA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/411 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JANTXV1N4248/TR

JANTXV1N4248/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

9,011
RFQ
JANTXV1N4248/TR데이터시트 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
GB10SLT12-220

GB10SLT12-220

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2

GeneSiC Semiconductor

7,227
RFQ
GB10SLT12-220데이터시트 - TO-220-2 Tube Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 520pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CN5179 BK TIN/LEAD

CN5179 BK TIN/LEAD

DIODE GEN PURP 20V DO35

Central Semiconductor Corp

7,101
RFQ
CN5179 BK TIN/LEAD데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Box Obsolete Standard 20 V - 3.7 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 10 µA @ 20 V - - - Through Hole DO-35 -65°C ~ 150°C
JANTX1N5614US

JANTX1N5614US

DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Microchip Technology

3,826
RFQ
JANTX1N5614US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 200 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 200 V - Military MIL-PRF-19500/437 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C
SIC20120B-BP

SIC20120B-BP

Interface

Micro Commercial Co

3,825
RFQ
SIC20120B-BP데이터시트 - TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
VS-86HF80

VS-86HF80

DIODE GEN PURP 800V 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,650
RFQ
VS-86HF80데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 800 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 800 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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