단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
1N5195/TR

1N5195/TR

DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35

Microchip Technology

5,300
RFQ
1N5195/TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 180 V 200mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 180 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N6620E3/TR

1N6620E3/TR

DIODE GEN PURP 200V 1.2A A AXIAL

Microchip Technology

6,529
RFQ
1N6620E3/TR데이터시트 - Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1.2A 1.4 V @ 1.2 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 500 nA @ 200 V - - - Through Hole A, Axial -65°C ~ 150°C
JAN1N5809US

JAN1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 6A B SQ-MELF

Microchip Technology

6,745
RFQ
JAN1N5809US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 100 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
JAN1N5811US

JAN1N5811US

DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF

Microchip Technology

4,141
RFQ
JAN1N5811US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 150 V 6A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 150 V 60pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
VS-88HF120

VS-88HF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,469
RFQ
VS-88HF120데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 85A 1.2 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 180°C
CD1A60

CD1A60

DIODE SCHOTTKY 60V 1A DIE

Microchip Technology

9,923
RFQ
CD1A60데이터시트 - Die Tape & Reel (TR) Active Schottky 60 V 1A 750 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 60 V - Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount Die -55°C ~ 125°C
1N6858-1/TR

1N6858-1/TR

DIODE SCHOTTKY 70V 75MA DO35

Microchip Technology

4,207
RFQ
1N6858-1/TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 70 V 75mA 650 mV @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 4.5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
FR6GR05

FR6GR05

DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4

GeneSiC Semiconductor

5,267
RFQ
FR6GR05데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 16A 1.4 V @ 6 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 25 µA @ 50 V - - - Chassis, Stud Mount DO-4 -65°C ~ 150°C
VS-71HFR60

VS-71HFR60

DIODE GP REV 600V 70A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,716
RFQ
VS-71HFR60데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 600 V 70A 1.35 V @ 220 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 600 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -65°C ~ 150°C
JANTXV1N4246

JANTXV1N4246

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Microchip Technology

8,777
RFQ
JANTXV1N4246데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 400 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/286 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5623US/TR

1N5623US/TR

DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A

Microchip Technology

6,738
RFQ
1N5623US/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 500 nA @ 1 V 15pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5554/TR

JANTX1N5554/TR

DIODE GEN PURP 1KV 5A

Microchip Technology

5,361
RFQ
JANTX1N5554/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 1000 V 5A 1.3 V @ 9 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 2 µA @ 1 V - Military MIL-PRF-19500/420 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
GP3D020A120B

GP3D020A120B

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2

SemiQ

4,590
RFQ
GP3D020A120B데이터시트 Amp+™ TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.65 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V 1179pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IDC10S120C5X1SA1

IDC10S120C5X1SA1

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

Infineon Technologies

4,869
RFQ
IDC10S120C5X1SA1데이터시트 - Die Bulk Active - - - - - - - - - - Surface Mount Sawn on foil -
1N5621US

1N5621US

DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A

Microchip Technology

8,577
RFQ
1N5621US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Active Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 500 nA @ 800 V 20pF @ 12V, 1MHz - - Surface Mount D-5A -65°C ~ 175°C
JANTX1N5712-1/TR

JANTX1N5712-1/TR

DIODE SCHOTTKY 20V 750MA DO35

Microchip Technology

2,275
RFQ
JANTX1N5712-1/TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 750mA 1 V @ 35 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 150 nA @ 16 V 2pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/444 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
1N3611US/TR

1N3611US/TR

DIODE GEN PURP 200V 1A A SQ-MELF

Microchip Technology

7,646
RFQ
1N3611US/TR데이터시트 - SQ-MELF, A Tape & Reel (TR) Active Standard 200 V 1A 1.1 V @ 1 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount A, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
MNS1N5819UR-1/TR

MNS1N5819UR-1/TR

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

5,405
RFQ
MNS1N5819UR-1/TR데이터시트 - DO-213AB, MELF (Glass) Tape & Reel (TR) Active Schottky 45 V 1A 490 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 45 V 70pF @ 5V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/586 Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) -65°C ~ 125°C
JAN1N5419

JAN1N5419

DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Microchip Technology

2,090
RFQ
JAN1N5419데이터시트 - B, Axial Bulk Active Standard 500 V 3A 1.5 V @ 9 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 500 V - Military MIL-PRF-19500/411 Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
JAN1N5618US

JAN1N5618US

DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

Microchip Technology

8,233
RFQ
JAN1N5618US데이터시트 - SQ-MELF, A Bulk Discontinued at Digi-Key Standard 600 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 2 µs 500 nA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/429 Surface Mount D-5A -65°C ~ 200°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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