단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
E6D30065A

E6D30065A

DIODE SIC 650V TO220

Wolfspeed, Inc.

2,598
RFQ
E6D30065A데이터시트 E TO-220-2 Bulk Last Time Buy SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 92.5A 1.5 V @ 30 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 650 V 1864pF @ 0V, 1MHz Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
CSICD05-1200 TR13

CSICD05-1200 TR13

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DPAK

Central Semiconductor Corp

2,147
RFQ
CSICD05-1200 TR13데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 5A 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 1200 V 240pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount DPAK -55°C ~ 175°C
JANTX1N5804/TR

JANTX1N5804/TR

DIODE GEN PURP 100V 1A

Microchip Technology

8,945
RFQ
JANTX1N5804/TR데이터시트 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 1A 875 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 1 µA @ 100 V 25pF @ 10V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/477 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N5711-1/TR

1N5711-1/TR

DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Microchip Technology

4,281
RFQ
1N5711-1/TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active Schottky 70 V 33mA 1 V @ 15 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 200 nA @ 50 V 2pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
VS-85EPF12HE4

VS-85EPF12HE4

NEW INPUT DIODES - POWIRTAB

Vishay

8,574
RFQ
VS-85EPF12HE4데이터시트 - PowerTab® Strip Obsolete Standard 1200 V 85A 1.36 V @ 85 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole PowerTab® -40°C ~ 150°C
LSIC2SD120A10A

LSIC2SD120A10A

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220L

Littelfuse Inc.

4,026
RFQ
LSIC2SD120A10A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 100 µA @ 1200 V 582pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
DGS13-025CS

DGS13-025CS

DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA

IXYS

8,408
RFQ
DGS13-025CS데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete Schottky 250 V 21A 1.7 V @ 7.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 18 ns 250 µA @ 250 V - - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
DGS9-030AS

DGS9-030AS

DIODE SCHOTTKY 300V 11A TO252AA

IXYS

3,963
RFQ
DGS9-030AS데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete Schottky 300 V 11A 2 V @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.3 mA @ 300 V - - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
DGS15-018CS

DGS15-018CS

DIODE SCHOTTKY 180V 24A TO252AA

IXYS

8,592
RFQ
DGS15-018CS데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 180 V 24A 1.5 V @ 7.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 23 ns 250 µA @ 180 V - - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
DGS17-03CS

DGS17-03CS

DIODE SCHOTTKY 300V 29A TO252AA

IXYS

5,070
RFQ
DGS17-03CS데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 300 V 29A 1.9 V @ 7.5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 23 ns 250 µA @ 300 V - - - Surface Mount TO-252AA -55°C ~ 175°C
JANTX1N4248

JANTX1N4248

DIODE GEN PURP 800V 1A E3

Microchip Technology

5,575
RFQ
JANTX1N4248데이터시트 - E3 Bulk Active Standard 800 V 1A 1.3 V @ 3 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 5 µs 1 µA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/286 - E3 -65°C ~ 175°C
1N6642USE3/TR

1N6642USE3/TR

DIODE GP 75V 300MA B SQ-MELF

Microchip Technology

2,664
RFQ
1N6642USE3/TR데이터시트 - SQ-MELF, B Tape & Reel (TR) Active Standard 75 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5 ns 500 nA @ 75 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
VS-40HFLR40S02

VS-40HFLR40S02

DIODE GP REV 400V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,598
RFQ
VS-40HFLR40S02데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 40A 1.95 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 200 ns 100 µA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C
HFA16PB120

HFA16PB120

DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,997
RFQ
HFA16PB120데이터시트 HEXFRED® TO-247-2 Tube Obsolete Standard 1200 V 16A 3 V @ 16 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 135 ns 20 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
JANTX1N6638U

JANTX1N6638U

DIODE GEN PURP 125V 300MA D-5B

Microchip Technology

5,191
RFQ
JANTX1N6638U데이터시트 - SQ-MELF, E Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns 500 nA @ 125 V - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount D-5B -65°C ~ 175°C
JANTX1N6638US

JANTX1N6638US

DIODE GP 125V 300MA B SQ-MELF

Microchip Technology

6,963
RFQ
JANTX1N6638US데이터시트 - SQ-MELF, B Bulk Active Standard 125 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 4.5 ns - - Military MIL-PRF-19500/578 Surface Mount B, SQ-MELF -65°C ~ 175°C
1N5809/TR

1N5809/TR

DIODE GEN PURP 100V 3A B AXIAL

Microchip Technology

9,246
RFQ
1N5809/TR데이터시트 - B, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 100 V 3A 875 mV @ 4 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 30 ns 5 µA @ 100 V 60pF @ 10V, 1MHz - - Through Hole B, Axial -65°C ~ 175°C
CDLL5817/TR

CDLL5817/TR

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

Microchip Technology

7,339
RFQ
CDLL5817/TR데이터시트 - DO-213AB, MELF Tape & Reel (TR) Active Schottky 20 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Surface Mount DO-213AB -55°C ~ 125°C
VS-40HFL10S05

VS-40HFL10S05

DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,959
RFQ
VS-40HFL10S05데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 100 V 40A 1.95 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 100 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C
VS-40HFL20S05

VS-40HFL20S05

DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,780
RFQ
VS-40HFL20S05데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 200 V 40A 1.95 V @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 500 ns 100 µA @ 200 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -40°C ~ 125°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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