단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
HFA25PB60

HFA25PB60

DIODE GP 600V 25A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,225
RFQ
HFA25PB60데이터시트 HEXFRED® TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 25A 1.7 V @ 25 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 20 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -55°C ~ 150°C
JAN1N6638

JAN1N6638

DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Microchip Technology

2,367
RFQ
JAN1N6638데이터시트 - D, Axial Bulk Active Standard 150 V 300mA 1.1 V @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 20 ns 500 nA @ 150 V 2.5pF @ 0V, 1MHz Military MIL-PRF-19500/578 Through Hole D-5D -65°C ~ 175°C
CDLL645/TR

CDLL645/TR

DIODE GP 225V 400MA DO213AA

Microchip Technology

3,163
RFQ
CDLL645/TR데이터시트 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 225 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 225 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 175°C
80EPF10

80EPF10

DIODE GEN PURP 1KV 80A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,716
RFQ
80EPF10데이터시트 - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 1000 V 80A 1.35 V @ 80 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -65°C ~ 175°C
5099

5099

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Adafruit Industries LLC

6,088
RFQ
5099데이터시트 - SOD-123 Bulk Active Standard 75 V 150mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 µA @ 100 V - - - Surface Mount SOD-123 150°C
1N459AUR

1N459AUR

DIODE GP 200V 150MA DO213AA

Microchip Technology

8,293
RFQ
1N459AUR데이터시트 - DO-213AA Bulk Active Standard 200 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 1 µA @ 200 V - - - Surface Mount DO-213AA -65°C ~ 150°C
GC10MPS12-252

GC10MPS12-252

DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2

GeneSiC Semiconductor

5,200
RFQ
GC10MPS12-252데이터시트 SiC Schottky MPS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 50A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 1200 V 660pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-2 -55°C ~ 175°C
VS-60APF02-M3

VS-60APF02-M3

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,124
RFQ
VS-60APF02-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF04-M3

VS-60APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,021
RFQ
VS-60APF04-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF06-M3

VS-60APF06-M3

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,732
RFQ
VS-60APF06-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60APF10-M3

VS-60APF10-M3

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,598
RFQ
VS-60APF10-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-60EPF02-M3

VS-60EPF02-M3

DIODE GP 200V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,795
RFQ
VS-60EPF02-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF04-M3

VS-60EPF04-M3

DIODE GP 400V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,180
RFQ
VS-60EPF04-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-60EPF10-M3

VS-60EPF10-M3

DIODE GP 1KV 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,514
RFQ
VS-60EPF10-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 1000 V 60A 1.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 480 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
60EPF06

60EPF06

DIODE GP 600V 60A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,034
RFQ
60EPF06데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 60A 1.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 180 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
BYT30PI-1000RG

BYT30PI-1000RG

DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I

STMicroelectronics

4,625
RFQ
BYT30PI-1000RG데이터시트 - DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) Tube Obsolete Standard 1000 V 30A 1.9 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 165 ns 100 µA @ 1000 V - - - Through Hole DOP3I -40°C ~ 150°C
JAN1N4946

JAN1N4946

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Microchip Technology

2,026
RFQ
JAN1N4946데이터시트 - A, Axial Bulk Active Standard 600 V 1A 1.3 V @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 250 ns 1 µA @ 600 V - Military MIL-PRF-19500/360 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
1N6643

1N6643

DIODE GEN PURPOSE

Microchip Technology

2,257
RFQ
1N6643데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 300mA 1.2 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 6 ns 500 nA @ 50 V 5pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JAN1N5621/TR

JAN1N5621/TR

DIODE GEN PURP 800V 1A

Microchip Technology

3,206
RFQ
JAN1N5621/TR데이터시트 - A, Axial Tape & Reel (TR) Active Standard 800 V 1A 1.6 V @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 300 ns 500 nA @ 800 V - Military MIL-PRF-19500/429 Through Hole A, Axial -65°C ~ 175°C
VS-97PF120

VS-97PF120

DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,258
RFQ
VS-97PF120데이터시트 - DO-203AB, DO-5, Stud Bulk Active Standard 1200 V 95A 1.4 V @ 267 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - - - - Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5) -55°C ~ 180°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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