단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
19TQ015STRL

19TQ015STRL

DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,611
RFQ
19TQ015STRL데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 15 V 19A 360 mV @ 19 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 15 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 125°C
19TQ015STRR

19TQ015STRR

DIODE SCHOTTKY 15V 19A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,955
RFQ
19TQ015STRR데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete Schottky 15 V 19A 360 mV @ 19 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1.5 mA @ 15 V - - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -55°C ~ 125°C
CBR08P65D

CBR08P65D

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,8A,TO-25

Bruckewell

13
RFQ
CBR08P65D데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 29A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 25 µA @ 650 V - Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-2L -55°C ~ 175°C
RURG30120

RURG30120

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2

onsemi

4,944
RFQ
RURG30120데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Avalanche 1200 V 30A 2.1 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 150 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 -65°C ~ 175°C
VS-30APF06-M3

VS-30APF06-M3

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,857
RFQ
VS-30APF06-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-30APF12-M3

VS-30APF12-M3

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,452
RFQ
VS-30APF12-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 1200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 450 ns 100 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-30APF02-M3

VS-30APF02-M3

DIODE SCHOTTKY 100V 3A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,690
RFQ
VS-30APF02-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Schottky 100 V 3A 790 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 100 V 115pF @ 5V, 1MHz - - Through Hole TO-247AC -55°C ~ 175°C
VS-30APF04-M3

VS-30APF04-M3

DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,095
RFQ
VS-30APF04-M3데이터시트 - TO-247-3 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
VS-30EPF02-M3

VS-30EPF02-M3

DIODE GP 200V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,406
RFQ
VS-30EPF02-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 200 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 200 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
VS-30EPF04-M3

VS-30EPF04-M3

DIODE GP 400V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,746
RFQ
VS-30EPF04-M3데이터시트 - TO-247-2 Tube Active Standard 400 V 30A 1.41 V @ 30 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 400 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
JANTXV1N4150-1

JANTXV1N4150-1

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Microchip Technology

3,512
RFQ
JANTXV1N4150-1데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - Military MIL-PRF-19500/231 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
1N4371A/TR

1N4371A/TR

DIODE DO35

Microchip Technology

2,324
RFQ
1N4371A/TR데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Tape & Reel (TR) Active - - - 1.1 V @ 200 mA - - 75 µA @ 1 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -
1N4454UR-1/TR

1N4454UR-1/TR

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Microchip Technology

7,083
RFQ
1N4454UR-1/TR데이터시트 - DO-213AA Tape & Reel (TR) Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 10 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V - - - Surface Mount DO-213AA -55°C ~ 175°C
CD4150V

CD4150V

DIODE GEN PURP 50V 200MA DIE

Microchip Technology

2,445
RFQ
CD4150V데이터시트 - Die Bulk Active Standard 50 V 200mA 1 V @ 200 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 4 ns 100 nA @ 50 V 2.5pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount Die -55°C ~ 175°C
UPS1040/TR13

UPS1040/TR13

DIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERMITE

Microchip Technology

4,975
RFQ
UPS1040/TR13데이터시트 - DO-216AA Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 10A 490 mV @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 300 µA @ 35 V 700pF @ 4V, 1MHz - - Surface Mount Powermite -55°C ~ 150°C
SICB10120Y-TP

SICB10120Y-TP

SCHOTTKY DIODES

Micro Commercial Co

7,541
RFQ
SICB10120Y-TP데이터시트 - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 10A 1.54 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 13 µA @ 1200 V 700pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount D2PAK -55°C ~ 175°C
VS-16FR40

VS-16FR40

DIODE GEN PURP 400V 16A DO203AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,779
RFQ
VS-16FR40데이터시트 - DO-203AA, DO-4, Stud Bulk Active Standard, Reverse Polarity 400 V 16A 1.23 V @ 50 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 12 mA @ 400 V - - - Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) -65°C ~ 175°C
30CPF06

30CPF06

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,273
RFQ
30CPF06데이터시트 - TO-247-3 Tube Obsolete Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC -40°C ~ 150°C
30EPF06

30EPF06

DIODE GP 600V 30A TO247AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,027
RFQ
30EPF06데이터시트 - TO-247-2 Tube Obsolete Standard 600 V 30A 1.41 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 160 ns 100 µA @ 600 V - - - Through Hole TO-247AC Modified -40°C ~ 150°C
BYC60W-1200PQ

BYC60W-1200PQ

BYC60W-1200P/TO247-2L/STANDARD M

WeEn Semiconductors

4,320
RFQ
BYC60W-1200PQ데이터시트 - TO-247-2 Bulk Active Standard 1200 V 60A 3.3 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 96 ns 250 µA @ 1200 V - - - Through Hole TO-247-2 175°C

카테고리 개요

단일 다이오드 제품 및 선택 가이드

단일 다이오드 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 다이오드 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 다이오드 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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