단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
DSB3A20

DSB3A20

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO204AH

Microchip Technology

8,989
RFQ
DSB3A20데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Schottky 20 V 3A 500 mV @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 125°C
DSB5817

DSB5817

DIODE SCHOTTKY DO-41

Microchip Technology

3,121
RFQ
DSB5817데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
DSB5818

DSB5818

DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL

Microchip Technology

2,637
RFQ
DSB5818데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 30 V 1A 600 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 nA @ 30 V - - - Through Hole DO-204AL (DO-41) -
DSB5820

DSB5820

DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO204AH

Microchip Technology

9,824
RFQ
DSB5820데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 20 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 20 V - - - Through Hole - -65°C ~ 125°C
DSB5822

DSB5822

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO204AH

Microchip Technology

7,209
RFQ
DSB5822데이터시트 - DO-204AL, DO-41, Axial Bulk Active Schottky 40 V 3A 500 mV @ 3 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 100 µA @ 40 V - - - Through Hole - -65°C ~ 125°C
LSM140 MELF

LSM140 MELF

DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB

Microchip Technology

4,573
RFQ
LSM140 MELF데이터시트 - DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 40 V 1A 580 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 40 V - - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 150°C
LSM145 MELF

LSM145 MELF

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Microchip Technology

7,240
RFQ
LSM145 MELF데이터시트 - DO-213AB, MELF (Glass) Bulk Active Schottky 45 V 1A 580 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 45 V - - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 150°C
LSM150 MELF

LSM150 MELF

DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB

Microchip Technology

4,482
RFQ
LSM150 MELF데이터시트 - DO-213AB, MELF Bulk Active Schottky 50 V 1A 580 mV @ 1 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 50 V - - - Surface Mount DO-213AB -65°C ~ 150°C
JAN1N647-1

JAN1N647-1

DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Microchip Technology

7,268
RFQ
JAN1N647-1데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 400 V 400mA 1 V @ 400 mA Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 50 nA @ 400 V - Military MIL-PRF-19500/240 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 175°C
JAN1N457

JAN1N457

DIODE GEN PURP 70V 150MA DO35

Microchip Technology

9,259
RFQ
JAN1N457데이터시트 - DO-204AH, DO-35, Axial Bulk Active Standard 70 V 150mA 1 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - 25 nA @ 70 V - Military MIL-PRF-19500/193 Through Hole DO-204AH (DO-35) -65°C ~ 150°C
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