단일 다이오드

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
IV1D06006O2

IV1D06006O2

DIODE SIL CARB 650V 17.4A TO220

Inventchip

132
RFQ
IV1D06006O2데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 17.4A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 212pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D06006P3

IV1D06006P3

DIODE SIC 650V 16.7A TO252-3

Inventchip

2,481
RFQ
IV1D06006P3데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16.7A 1.65 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 10 µA @ 650 V 224pF @ 1V, 1MHz - - Surface Mount TO-252-3 -55°C ~ 175°C
IV1D12005O2

IV1D12005O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO220-2

Inventchip

164
RFQ
IV1D12005O2데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 17A 1.8 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 30 µA @ 1200 V 320pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010O2

IV1D12010O2

DIODE SIL CARB 1.2KV 28A TO220-2

Inventchip

190
RFQ
IV1D12010O2데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 28A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-220-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12010T2

IV1D12010T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

Inventchip

107
RFQ
IV1D12010T2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 30A 1.8 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 575pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12015T2

IV1D12015T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 44A TO247-2

Inventchip

120
RFQ
IV1D12015T2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 44A 1.8 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 1200 V 888pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
IV1D12020T2

IV1D12020T2

DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO247-2

Inventchip

110
RFQ
IV1D12020T2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 54A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 120 µA @ 1200 V 1114pF @ 1V, 1MHz - - Through Hole TO-247-2 -55°C ~ 175°C
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