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제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지 작동 온도 - 접합
G3S06503A

G3S06503A

DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC

Global Power Technology-GPT

390
RFQ
G3S06503A데이터시트 - TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 3 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
G3S06504C

G3S06504C

DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252

Global Power Technology-GPT

3,978
RFQ
G3S06504C데이터시트 - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Surface Mount TO-252 -55°C ~ 175°C
G3S06504A

G3S06504A

DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC

Global Power Technology-GPT

13
RFQ
G3S06504A데이터시트 - TO-220-2 Cut Tape (CT) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 11.5A 1.7 V @ 4 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 181pF @ 0V, 1MHz - - Through Hole TO-220AC -55°C ~ 175°C
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