단일 다이오드
| 제조사 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
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전체 초기화
전체 적용
결과
| 사진 | 제조사 부품번호 | 재고 여부 | 가격 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 커패시턴스 @ Vr, F | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 | 작동 온도 - 접합 |
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G3S06503ADIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Global Power Technology-GPT |
390 | - |
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- | TO-220-2 | Tube | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 11.5A | 1.7 V @ 3 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
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G3S06504CDIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252 Global Power Technology-GPT |
3,978 | - |
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- | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 11.5A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | - | - | Surface Mount | TO-252 | -55°C ~ 175°C | |
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G3S06504ADIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Global Power Technology-GPT |
13 | - |
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- | TO-220-2 | Cut Tape (CT) | Active | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 11.5A | 1.7 V @ 4 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 181pF @ 0V, 1MHz | - | - | Through Hole | TO-220AC | -55°C ~ 175°C |
