다이오드 어레이

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 다이오드 구성 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 작동 온도 - 접합 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 다이오드 구성 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 작동 온도 - 접합 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
BSDW20G65C2

BSDW20G65C2

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247

Bourns Inc.

2,400
RFQ
BSDW20G65C2데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
BSDW20S65C6

BSDW20S65C6

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247

Bourns Inc.

2,391
RFQ
BSDW20S65C6데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 650 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
BSDW20G120C2

BSDW20G120C2

DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247

Bourns Inc.

2,988
RFQ
BSDW20G120C2데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A 1.6 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 50 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247
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