다이오드 어레이

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 다이오드 구성 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 작동 온도 - 접합 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 다이오드 구성 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 작동 온도 - 접합 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
BYV430J-600PQ

BYV430J-600PQ

DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-3P

WeEn Semiconductors

3,784
RFQ
BYV430J-600PQ데이터시트 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 30A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 10 µA @ 600 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-3P
BYV415K-600PQ

BYV415K-600PQ

DIODE ARRAY GP 600V 15A TO-3P

WeEn Semiconductors

898
RFQ
BYV415K-600PQ데이터시트 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 15A 2.1 V @ 15 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 45 ns 10 µA @ 600 V -65°C ~ 175°C - - Through Hole TO-3P
BYV430W-600PQ

BYV430W-600PQ

DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247-3

WeEn Semiconductors

2,027
RFQ
BYV430W-600PQ데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 60A 2 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 90 ns 10 µA @ 600 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-247-3
BYV34G-600,127

BYV34G-600,127

DIODE ARRAY GP 600V 20A I2PAK

WeEn Semiconductors

5,995
RFQ
BYV34G-600,127데이터시트 - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 20A 1.48 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C (Max) - - Through Hole I2PAK
WNSC2D16650CJQ

WNSC2D16650CJQ

DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF

WeEn Semiconductors

449
RFQ
WNSC2D16650CJQ데이터시트 - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 16A 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 650 V 175°C - - Through Hole TO-3PF
WNSC2D20650CWQ

WNSC2D20650CWQ

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3

WeEn Semiconductors

475
RFQ
WNSC2D20650CWQ데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 175°C - - Through Hole TO-247-3
WNSC6D20650CW6Q

WNSC6D20650CW6Q

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3

WeEn Semiconductors

451
RFQ
WNSC6D20650CW6Q데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 175°C - - Through Hole TO-247-3
WNSC2D30650CWQ

WNSC2D30650CWQ

DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3

WeEn Semiconductors

2,218
RFQ
WNSC2D30650CWQ데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 30A 1.7 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 650 V 175°C - - Through Hole TO-247-3
NXPSC20650W6Q

NXPSC20650W6Q

DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3

WeEn Semiconductors

707
RFQ
NXPSC20650W6Q데이터시트 - TO-247-3 Bulk Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 175°C (Max) - - Through Hole TO-247-3
BYV32E-150,127

BYV32E-150,127

DIODE ARRAY GP 150V 20A TO-220AB

WeEn Semiconductors

44
RFQ
BYV32E-150,127데이터시트 - TO-220-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode Standard 150 V 20A 1.15 V @ 20 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25 ns 30 µA @ 150 V 150°C (Max) - - Through Hole TO-220AB
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