다이오드 어레이
| 사진 | 제조사 부품번호 | 재고 여부 | 수량 | 데이터시트 | 시리즈 | 패키지/케이스 | 패키징 | 제품 상태 | 다이오드 구성 | 기술 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 속도 | 역방향 복구 시간(trr) | 전류 - 역방향 누설 @ Vr | 작동 온도 - 접합 | 등급 | 자격 | 장착 유형 | 공급자 장치 패키지 |
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HSM88WA-JTLDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
6,000 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HSB276ASTL-EDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
3,000 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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1S2835-D-T1-ADIODE Renesas Electronics Corporation |
10,500 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HSB226STL-EDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
32,500 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HRB0502A-JTR-EDIODE SCHOTTKY Renesas Electronics Corporation |
18,000 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HSM276ASTR-EDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
52,006 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HSM107S-JTLDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
1,400 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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HSM226STR-EDIODE SCHOTTKY BARRIER Renesas Electronics Corporation |
21,000 |
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* | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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RJS6004WDPK-00#T0DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-3P Renesas Electronics Corporation |
750 |
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- | TO-220-3 Full Pack | Bulk | Active | 1 Pair Common Cathode | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 600 V | 10A (DC) | 1.8 V @ 10 A | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 15 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C ~ 150°C | - | - | Through Hole | TO-3P |
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CA3039DIODE ARRAY- 6 MATCH. UF,LOW CAP Renesas Electronics Corporation |
5,062 |
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* | - | - | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
