다이오드 어레이

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 다이오드 구성 기술 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 속도 역방향 복구 시간(trr) 전류 - 역방향 누설 @ Vr 작동 온도 - 접합 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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VS-U5FX120FA60

VS-U5FX120FA60

DIODE MODULE GP 600V 60A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

154
RFQ
VS-U5FX120FA60데이터시트 FRED Pt® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent Standard 600 V 60A (DC) 2.2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 63 ns 40 µA @ 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
VS-U5FH150FA60

VS-U5FH150FA60

DIODE MODULE GP 600V 75A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

160
RFQ
VS-U5FH150FA60데이터시트 FRED Pt® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent Standard 600 V 75A (DC) 1.7 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 70 ns 50 µA @ 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
VS-U5FX150FA60

VS-U5FX150FA60

DIODE MODULE GP 600V 75A SOT-227

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

126
RFQ
VS-U5FX150FA60데이터시트 FRED Pt® SOT-227-4, miniBLOC Tube Active 2 Independent Standard 600 V 75A (DC) 2.2 V @ 75 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 50 µA @ 600 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
PCDH40120CCG1_T0_00601

PCDH40120CCG1_T0_00601

DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247AD

Panjit International Inc.

1,500
RFQ
PCDH40120CCG1_T0_00601데이터시트 - TO-247-3 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 20A (DC) 1.7 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 180 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247AD
IV1D12040U2

IV1D12040U2

DIODE ARR SIC 1200V 102A TO2472

Inventchip

120
RFQ
IV1D12040U2데이터시트 - TO-247-2 Tube Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 102A (DC) 1.8 V @ 40 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Through Hole TO-247-2
1N4148UBCA/TR

1N4148UBCA/TR

DIODE ARRAY GP 75V 200MA UB

Microchip Technology

200
RFQ
1N4148UBCA/TR데이터시트 - 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active 1 Pair Common Anode Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 500 nA @ 75 V -65°C ~ 200°C - - Surface Mount UB
1N4148UBD

1N4148UBD

DIODE ARRAY GP 75V 200MA UB

Microchip Technology

151
RFQ
1N4148UBD데이터시트 - 3-SMD, No Lead Bulk Active 1 Pair Series Connection Standard 75 V 200mA 1.2 V @ 100 mA Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 5 ns 500 nA @ 75 V -65°C ~ 200°C - - Surface Mount UB
RJS6004WDPK-00#T0

RJS6004WDPK-00#T0

DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-3P

Renesas Electronics Corporation

750
RFQ
RJS6004WDPK-00#T0데이터시트 - TO-220-3 Full Pack Bulk Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 600 V 10A (DC) 1.8 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15 ns 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C - - Through Hole TO-3P
GB2X50MPS12-227

GB2X50MPS12-227

DIODE MOD SIC 1200V 93A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

248
RFQ
GB2X50MPS12-227데이터시트 SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 93A (DC) 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 40 µA @ 1200 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
DCG45X1200NA

DCG45X1200NA

DIODE MOD SIC 1200V 22A SOT227B

IXYS

196
RFQ
DCG45X1200NA데이터시트 - SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 22A 1.8 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 1200 V -40°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227B
GB2X50MPS17-227

GB2X50MPS17-227

DIODE MOD SIC 1700V 136A SOT-227

GeneSiC Semiconductor

79
RFQ
GB2X50MPS17-227데이터시트 SiC Schottky MPS™ SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1700 V 136A (DC) 1.8 V @ 50 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1700 V -55°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227
MBRT20060R

MBRT20060R

DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER

GeneSiC Semiconductor

67
RFQ
MBRT20060R데이터시트 - Three Tower Bulk Active 1 Pair Common Anode Schottky 60 V 100A 800 mV @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 1 mA @ 20 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Three Tower
MUR20020CT

MUR20020CT

DIODE MODULE GP 200V 100A 2TOWER

GeneSiC Semiconductor

48
RFQ
MUR20020CT데이터시트 - Twin Tower Bulk Active 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 100A 1.3 V @ 100 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 75 ns 25 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C - - Chassis Mount Twin Tower
DDB6U85N16LHOSA1

DDB6U85N16LHOSA1

DIODE MODULE GP 1600V AGISOPACK1

Infineon Technologies

9
RFQ
DDB6U85N16LHOSA1데이터시트 - Module Bulk Obsolete 3 Independent Standard 1600 V 60A 1.44 V @ 100 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 5 mA @ 1600 V 150°C (Max) - - Chassis Mount AG-ISOPACK-1
MD165A16D2-BP

MD165A16D2-BP

DIODE MODULE GP 1600V 165A D2

Micro Commercial Co

80
RFQ
MD165A16D2-BP데이터시트 - D2 Bulk Active 1 Pair Common Anode Standard 1600 V 165A 1.4 V @ 300 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - 9 mA @ 1600 V -40°C ~ 150°C - - Chassis Mount D2
MSCDC150KK70D1PAG

MSCDC150KK70D1PAG

DIODE MODULE SIC 700V 150A D1P

Microchip Technology

34
RFQ
MSCDC150KK70D1PAG데이터시트 - Module Box Active 1 Pair Common Cathode SiC (Silicon Carbide) Schottky 700 V 150A 1.8 V @ 150 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 600 µA @ 700 V -40°C ~ 175°C - - Chassis Mount D1P
DCG130X1200NA

DCG130X1200NA

DIODE MOD SIC 1200V 64A SOT227B

IXYS

335
RFQ
DCG130X1200NA데이터시트 - SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete 2 Independent SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 64A 1.8 V @ 60 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 800 µA @ 1200 V -40°C ~ 175°C - - Chassis Mount SOT-227B
JANTX1N6511

JANTX1N6511

DIODE ARRAY GP 75V 300MA 14-CDIP

Microchip Technology

90
RFQ
JANTX1N6511데이터시트 - 14-CDIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active 7 Independent Standard 75 V 300mA (DC) 1 V @ 100 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10 ns 100 nA @ 40 V - Military MIL-PRF-19500/4 Through Hole 14-CDIP
DD400S33K2CNOSA1

DD400S33K2CNOSA1

DIODE MODULE GP 3300V AIHV130-3

Infineon Technologies

9,416
RFQ
DD400S33K2CNOSA1데이터시트 - Module Bulk Obsolete 2 Independent Standard 3300 V - 3.5 V @ 400 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - -40°C ~ 125°C - - Chassis Mount A-IHV130-3
DD800S33K2CNOSA1

DD800S33K2CNOSA1

DIODE MODULE GP 3300V AIHV130-3

Infineon Technologies

6,254
RFQ
DD800S33K2CNOSA1데이터시트 - Module Bulk Obsolete 2 Independent Standard 3300 V - 3.5 V @ 800 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) - - -40°C ~ 125°C - - Chassis Mount A-IHV130-3
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카테고리 개요

다이오드 어레이 제품 및 선택 가이드

다이오드 어레이 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 다이오드 어레이 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 다이오드 어레이 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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